TRIAC（ISOLATED MOLD TYPE）
TG16C
UL:E76102 M）
（
Triac
TG16C
is isolated mold TRIAC suitable for wide range of
applications like Copier Machines, Micro Wave Ovens, Solid State Switches,
Motor Controls, Light Controls and Heater Controls.
23.0 MAX
39.2 MAX
20.2 MAX
2-
φ4.2±0.1
（T
2
）
TO3
●
I
T AV）
（
●
High
16A
surge capability 160A
●
Isolated Mounting AC2500V）
（
●
Tab Terminals
Trigger mode of the triac
Mode
1
I
＋
）
（
Mode
2
I
−
）
（
Mode
3 III
＋
）
（
Mode
4 III
−
）
（
（T
1
） （G）
20.1 MAX
21.6 MAX
30.0±0.1
13.9
T'
7.95±0.15
T
6.35±0.15
10.8
T1
+0.2
φ2.0
1
.T
2
）
（T
- 0.0
+0.2
φ1.55
（G）
- 0.0
G
9.75±0.3
8.2
5-
φ1.3±0.2
22.5 MAX
3.0±0.3
T2
Tc Point
（depth 2mm）
：
（T=6.35, T'=8.25, t=0.8）
T
1
TAB250
：
（T=6.35, T'=8.25, t=0.8）
T
2
TAB250
G TAB187
：
（T=4.75, T'=5.7, t=0.5）
2.6
Unit：
mm
■Maximum
Ratings
Symbol
V
DRM
Symbol
I
T RMS）
（
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
G
（AV）
I
GM
V
GM
di
/
dt
Tj
Tstg
V
ISO
Item
Repetitive Peak Off-State Voltage
Item
R.M.S. On-State Current
Surge On-State Current
I
2
t
Peak Gate Power Dissipation
Average Gate Power Dissipation
Peak Gate Current
Peak Gate Voltage
Critical Rate of Rise of On-State Current
Operating Junction Temperature
Storage Temperature
Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）
Mounting Torque
（M4）
Mass
Ratings
TG16C40
400
Conditions
Tc＝83℃
One cycle, 50Hz/60Hz, peak, non-repetitive
Value for one cycle of surge current
（Tj=25℃
unless otherwise specified）
TG16C60
600
Ratings
16
140
/
160
106
10
1
3
10
50
−25
to
＋125
−40
to
＋125
2500
Unit
V
Unit
A
A
A
2
S
W
W
A
V
A
/
μs
℃
℃
V
N½m
1.5（15）
（kgf½B）
23
g
Ratings
3
1.5
50
50
−
50
3
3
−
3
0.2
10
50
6
30
2.0
V
mA
Unit
mA
V
μs
I
G
＝100mA，
Tj＝25℃，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/
dt＝1A
/
V
／
dI
A.C.1 minute
Recommended Value 1.0∼1.4（10∼14）
Typical value（Excluding bolt, nut and wrapping material）
■Electrical
Characteristics
Symbol
I
DRM
V
TM
＋
I
GT1
I
GT1
−
＋
Item
Reptitive Peak Off-State Current, max
Peak On-State Voltage, max
1
2
3
4
1
2
3
4
Non-Trigger Gate Voltage, min
Turn On Time, max.
Critical Rate of Rise on-State
Voltage,min.
Critical Rate of Rise off-State
Voltage at commutation, min
Conditions
V
D
=V
DRM
, Single phase, half wave, Tj＝125℃
On-State Current〔√
T RMS）
，
2×I
（
〕
Inst. measurement
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝25℃，I
T
＝1A，V
D
＝6V
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
（
I
T RMS） G
＝100mA，V
D
＝
1 2
V
DRM
，Tj＝25℃，dI
G
/
dt＝1A
/
，I
／
μs
I
GT3
−
I
GT3
Gate Trigger Current, max
V
GT1
V
GT1
V
GT3
−
V
GT3
＋
−
＋
Gate Trigger Voltage, max
V
GD
tgt
dv
/
dt
〔dv
/
dt〕
c
I
H
V
V
V
/
μs
V
/
μs
mA
℃
/
W
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，Exoponential
wave.
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，
/
dt〕c＝8A
/
ms
／
〔di
Tj＝25℃
Junction to case
Holding Current, typ.
Rth j-c） Thermal Impedance, max
（
RMS On-State Current A）
（
１
６
１
２
８
４
θ
＝180゜
Surge On-State Current A）
（
;
２
TG16C
Gate Characteristics
１
３
０
On-State Voltage
（MAX）
Gate Voltage
（V）
Peak Gate Current
（3A）
５
２
−25℃
Av
er
ag
e
Pe
Po ak G
we at
（ e
r1
0W
Gate
）
Distribution
Po
we
（
r
On-State Current A）
（
１
１
０
Peak Gate Voltage
（10V）
５
２
１
２
０
５
２
１
１
０
５
０
１
２
３
４
５
１
０
０
25℃
Ga
te
125℃
５
２
1W
）
Maximum Gate Voltage that will not trigger any unit
１
−１ １
０
１
０
２
５
１
２
０
２
５
１
３
０
２
５
Gate Current mA）
（
On-State Voltage
（V）
Power Dissipation
（W）
２
０
１
６
θ
＝180゜
θ
＝150゜
θ
＝120゜
θ
＝90゜
θ
＝60゜
θ
＝30゜
０
π
θ
2π
θ
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
１
２
８
４
Allowable Case Temperature
（℃）
２
４
On State Current vs.
Maximum Power Dissipation
１０
３
１０
２
１０
１
１０
０
On State Current vs.
Allowable Case Temperature
０
π
θ
θ
2π
９
０
８
０
７
０
０
３０
６゜
θ Conduction Angle
：
θ
＝30゜
θ
＝60゜
θ
＝90゜
θ
＝120゜
θ
＝150゜
θ
＝180゜
０
０
４
８
１
２
１
６
２
０
４
８
１
２
１
６
２
０
RMS On-State Current
（A）
RMS On-State Current A）
（
２
０
Ambient temp. vs. RMS On-State Current
FIn Al plate pained black
：
２０
５
２０
０
１０
５
１０
０
５
０
Surge On-State Current Rating
（Non-Repetitive）
120゜
×3Rth 2.7℃/W
：
Tj＝25℃ start
100゜
×3Rth 3.3℃/W
：
80゜
×3Rth 4.6℃/W
：
Conduction Angle 180゜
Apply following figures for
different conduction angles
θ 150゜
： ：
1.05
θ 120゜
： ：
1.16
θ 90゜
： ：
1.26
θ 60゜
： ：
1.40
θ 30゜
： ：
1.61
60Hz
50Hz
０
０
(Rth heat Sink Thermal Impedance)
：
２
０
４
０
６
０
８
０
１０
０
１０
２
１０
４
０
０
１
０
２
５
１
１
０
２
５
１
２
０
Maximum Allowable Ambient Temperature
（℃）
Transient Thermal Impedance
θ
（℃/W）
j-c
Time
（cycles）
１
２
１
１
１
０
９
８
７
６
５
４
３
２
１
０
ー３
１
０
Transient Thermal Impedance
１
ー２
０
１
ー１
０
１
０
０
Time
t
sec）
（
１
１
０
１
２
０
１
２
１
１
１
０
９
Fin Al plate pained black
：
８
７
80゜
×3t
６
100゜
×3t
５
120゜
×3t
４
３
Junction to case
２
１
０
１
３
０
１
４
０
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
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