Influence of main circuit bus and capacitor bank parasitic parameters on switching transients

Taking an H-bridge IGBT power unit as the object, a high-frequency equivalent circuit of the DC bus is established based on the partial unit equivalent circuit (PEEC) method, and the equivalent parameters of the capacitor group are extracted by curve fitting based on the least squares method. The AC component of the bridge arm voltage obtained in the single bridge arm circuit experiment is used as excitation and applied to the equivalent circuit composed of the bus and capacitor group model for simulation. The measured waveform of the bus current is compared with the simulated waveform to verify the accuracy of the equivalent circuit. Based on this circuit, the influence of the structure and parameter changes of the DC bus and capacitor group on the transient process and the sensitivity of the transient process to parasitic parameters are discussed. The results show that the switching transient process of the converter is very sensitive to the changes in the parasitic inductance parameters of the main circuit bus and capacitor group. Abstract: The equivalent circuit of power DC bus and capacitor bank of an H-bridge IGBT unit was constructed, where the bus model was built with partial element equivalent circuit(PEEC) method and the parasitic parameters of capacitor tank were extracted by curve fitting using least square method. The equivalent circuit was verified by comparing the measured current with simulation result by exerting the AC component of phase voltage to the equivalent circuit. Furthermore, the transient process with different parameters of the equivalent circuit was studied. It is proved that the transient process is very sensitive to parasitic inductance of the equivalent circuit.Keywords: DC Power Bus; Electromagnetic Interference (EMI); Equivalent Circuit; Converter