pdf

NTHD4P02F_ONSEMI_79870.pdf

  • 2013-09-29
  • 78KB
  • Points it Requires : 2

              NTHD4P02F_ONSEMI_79870NTHD4P02F Power MOSFET and Schottky Diode20 V, 3.0 A, Single PChannel with 3.0 A Schottky Barrier Diode, ChipFETtFeatures http://onsemi.com MOSFETV(BR)DSS 20 V RDS(on) TYP 130 mW @ 4.5 V 200 mW @ 2.5 V ID MAX 3.0 A Leadless SMD Package Featuring a MOSFET and Schottky Diode 40% Smaller than TSOP6 Package with Similar Thermal Characteristics Independent Pinout to each Device to Ease Circuit Design Ultra Low VF Schottky PbFree Package is Available LiIon Battery Charging High Side DCDC Conversion Circuits High Side Drive for Small Brushless DC Motors Power Management in Portable, Battery Powered ProductsParameter DraintoSource Voltage GatetoSource Voltage Continuous Drain Current Steady State tv5s Pulsed Drain Current Power Dissipation TJ = 25°C TJ = 85°C TJ = 25°C ID IDM PD Symb…             

unfold

You Might Like

Uploader
huhuhah0009
 

Recommended ContentMore

Popular Components

Just Take a LookMore

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

About Us Customer Service Contact Information Datasheet Sitemap LatestNews


Room 1530, 15th Floor, Building B, No.18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing, Postal Code: 100190 China Telephone: 008610 8235 0740

Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号
×