TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
V
CES
3300
3300
1200
2300
2400
14,5
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
t
d on
4,2
typ.
3,00
3,70
5,1
22,0
0,42
145
8,00
1,05
1,05
0,65
0,65
3,70
3,90
0,25
0,35
2200
3150
1400
1900
max.
3,65
4,45
6,0
5,0
400
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
V
A
A
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
vj
= -25°C
T
C
= 80°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
kW
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 1200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 1200 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 120 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V, V
CE
= 1800V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 3300 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 1200 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 4,7
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1200 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 4,7
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1200 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 4,7
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1200 A, V
CE
= 1800 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 4,7
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1200 A, V
CE
= 1800 V, L
S
= 60 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 3900 A/µs
R
Gon
= 1,8
Ω,
C
GE
= 330 nF
I
C
= 1200 A, V
CE
= 1800 V, L
S
= 60 nH
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 4,7
Ω,
C
GE
= 330 nF
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 2500 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
r
t
d off
t
f
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 125°C
5200
9,00
A
8,50 K/kW
K/kW
125
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KHH
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.3
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
Spitzenverlustleistung
Maximumpowerdissipation
Mindesteinschaltdauer
Minimumturn-ontime
T
vj
= 25°C
T
vj
= -25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
3300
3300
1200
2400
440
1800
10,0
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
typ.
max.
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
V
A
A
kA²s
kW
µs
P
RQM
t
on min
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 1200 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 1200 A, V
GE
= 0 V
2,60 t.b.d.
2,55
1250
1450
810
1450
800
1650
18,0
125
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 3900 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 3900 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 1200 A, - di
F
/dt = 3900 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 1800 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
17,0 K/kW
K/kW
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:KHH
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.3
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
Teilentladungs-Aussetzspannung
Partialdischargeextinctionvoltage
Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung
DCstability
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
≤
10 pC (acc. to IEC 1287)
T
vj
= 25°C, 100 fit
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
V
ISOL
V
CE D
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
-40
4,25
1,8
M
8,0
G
-
1500
10
Nm
g
6,0
2,6
2150
AlSiC
AlN
32,2
19,1
> 400
typ.
6,00
10
0,12
-
-
125
5,75
2,1
max.
K/kW
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
kV
kV
V
mm
mm
Gewicht
Weight
preparedby:KHH
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.3
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
2400
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
2400
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
2000
2000
V
GE
= 20V
V
GE
= 15V
V
GE
= 12V
V
GE
= 10V
V
GE
= 9V
V
GE
= 8V
1600
1600
I
C
[A]
1200
800
I
C
[A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
V
CE
[V]
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
E [mJ]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
1200
800
400
400
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0
V
CE
[V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
2400
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=1.8Ω,R
Goff
=4.7Ω,V
CE
=1800V,C
GE
=330
nF
8000
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
7000
6000
2000
1600
5000
I
C
[A]
1200
4000
3000
800
2000
400
1000
0
0
0
300
600
900
1200 1500 1800 2100 2400
I
C
[A]
preparedby:KHH
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.3
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FZ1200R33KL2C
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
100
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=1200A,V
CE
=1800V,C
GE
=330nF
12000
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
10000
Z
thJC
: IGBT
8000
Z
thJC
[K/kW]
10
E [mJ]
6000
4000
1
2000
i:
1
2
3
4
r
i
[K/kW]: 3,825 2,125 0,51 2,04
τ
i
[s]:
0,03 0,1
0,3 1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
R
G
[Ω]
8
9
10 11 12
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=4.7Ω,T
vj
=125°C,C
GE
=330nF
3000
I
C
, Modul
I
C
, Chip
2400
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
2400
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
2000
1600
1800
I
C
[A]
I
F
[A]
600
0
0
500
1000
1500 2000
V
CE
[V]
2500
3000
3500
1200
1200
800
400
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V
F
[V]
2,5
3,0
3,5
4,0
preparedby:KHH
approvedby:DTS
dateofpublication:2013-11-25
revision:2.3
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
