pdf

DDR_DQS signal processing

  • 2013-09-29
  • 456.6KB
  • Points it Requires : 1

              DDR_DQS signal processing DDR DQS signal processing Summary Now, whether it is a motherboard design or test engineer, or a memory or DDR chip design or test engineer, they will face such a problem: How to separate the \"read\" and \"write\" eye diagrams to find out whether there are signal quality problems? Because it is difficult to determine whether your design or product meets the specification requirements by simply testing a waveform. And because the DDR data bus signal has three states, the \"read\" timing and \"write\" timing are different, it is difficult for us to directly use an oscilloscope to separate the \"read\" eye diagram and the \"write\" eye diagram. This article introduces a method to separate the \"read\" eye diagram and the \"write\" eye diagram based on the DDR \"read\" and \"write\" separation software designed by myself, and innovatively introduces the template test method. DDR 1&2&3 Bus Overview DDR is the full name of Double Data Rate SDRAM, abbreviated as DDR. Now DDR technology has developed to DDR 3, and the theoretical speed can support up to 1600MT/s. DDR bus has many traces, high speed, complex operation and difficult detection, which brings great challenges to testing and analysis. DDR essentially doubles the speed of SDRAM without increasing the clock frequency. It allows data to be read on the rising and falling edges of the clock, so its speed is twice that of standard SDRAM. As for the address and control signals, they are the same as traditional SDRAM, and data judgment is still performed on the rising edge of the clock. At present, many computers use DDR2 memory with a clock frequency of 533MHz. More advanced DDR2 memory is becoming increasingly popular. Its clock frequency is between 400 MHz and 800 MHz. The clock frequency of the new DDR3 memory can work between 800MHz and 16OOMHz. DDR3 memory chips have another advantage: lower energy consumption. Its operating voltage is 1.5 volts, which is lower than the 1.8 volts of DDR2 memory chips and the 2.5 volts of DDR1 memory chips. In battery-powered devices, it can extend battery life because low energy consumption generates less heat, which requires less cooling. The meanings of several new features of DDR 2&3 are: ODT (On Die Te...             

unfold

You Might Like

Uploader
lamas
 

Recommended ContentMore

Popular Components

Just Take a LookMore

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

About Us Customer Service Contact Information Datasheet Sitemap LatestNews


Room 1530, 15th Floor, Building B, No.18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing, Postal Code: 100190 China Telephone: 008610 8235 0740

Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号
×