pdf

PA Renesas

  • 2013-09-29
  • 311.83KB
  • Points it Requires : 2

              RPF88130B_target spec_rev4_1CONFIDENTIALPreliminaryRPF88130BMOS FET Power Amplifier Module with Antenna Switch for Dual-band(Tx) and Dual band(Rx) Mobile PhoneRev.4.1 13 Dec. 2007Application Dual band Tx Amplifier with Dual band Antenna Switch for Tx : GSM900 (880 to 915 MHz) DCS1800 (1710 to 1785 MHz) Rx : GSM900(925 to 960 MHz) , DCS1800 (1805 to 1880 MHz)Features Small package : 5.5 × 5.5mm(typ) 1.2mm t max. Built-in closed loop APC circuit with power detector performs stable TRP(Total Radiated Power) under load mismatch conditions. Built-in Antenna Switch High gain 3stage amplifier: +3dBm input typ. Built-in ESD protection: outstanding 8KV ESD at Antenna. Lead free soldering process available GPRS Class 12 compatible High efficiency: 41% Typ. for GSM900 35% Typ. for DCS1800Rev.4.1, 13 Dec.200……             

unfold

You Might Like

Uploader
jasionla
 

Recommended ContentMore

Popular Components

Just Take a LookMore

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

About Us Customer Service Contact Information Datasheet Sitemap LatestNews


Room 1530, 15th Floor, Building B, No.18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing, Postal Code: 100190 China Telephone: 008610 8235 0740

Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号
×