NAND FLASHSD read and write process

              nor flash read and write process 1. Structural analysis The S3C2410 processor integrates an 8-bit NandFlash controller. Currently, the common 8-bit NandFlash on the market include Samsung\'s k9f1208, k9f1g08, k9f2g08, etc. The data page sizes of k9f1208, k9f1g08, and k9f2g08 are 512Byte, 2kByte, and 2kByte respectively. They have certain differences in addressing methods, so the program code is not universal. This article takes the S3C2410 processor and k9f1208 system as examples to describe the reading and writing methods of NandFlash. NandFlash data is stored in memory cells in bit form. Generally speaking, only one bit can be stored in a cell. These cells are connected into bitlines in units of 8 or 16, forming the so-called byte (x8)/word (x16), which is the bit width of the NAND Device. These lines form pages, and pages are organized into blocks. The relevant data of k9f1208 are as follows: 1block=32page; 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare Area). The total capacity is =4096(number of blocks)*32(page/block)*512(byte/page)=64MbyteNandFlash reads and writes data in pages and erases data in blocks. According to the organization of k9f1208, it can be divided into four types of addresses: Column Address, halfpage pointer, Page Address, BlockAddress. A[0:25] indicates the address of the data in the 64M space. Column Address indicates the address of the data in the half page, with a size range of 0~255, represented by A[0:7]; halfpagepointer indicates the position of the half page in the whole page, that is, in the 0~255 space or in the 256~511 space, represented by A[8]; Page Address indicates the address of the page in the block, with a size range of 0~31, represented by A[13...