¡ Semiconductor
MSC2383257A-xxBS16/DS16
DESCRIPTION
¡ Semiconductor
MSC2383257A-xxBS16/DS16
8,388,608-Word
¥
32-Bit DRAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE WITH EDO
1
The Oki MSC2383257A-xxBS16/DS16 is a fully decoded 8,388,608-word
¥
32-bit CMOS dynamic
random access memory composed of sixteen 16-Mb DRAMs (4M
¥
4) in SOJ. The mounting of
sixteen DRAMs together with decoupling capacitors on a 72-pin glass epoxy SIMM Package
supports any application where high density and large capacity of storage memory are required.
FEATURES
• 8,388,608-word
¥
32-bit organization
• 72-pin SIMM
MSC2383257A-xxBS16 : Gold tab
MSC2383257A-xxDS16 : Solder tab
• Single 5 V supply
±10%
tolerance
• Input
: TTL compatible
• Output : TTL compatible, 3-state, nonlatch
• Refresh : 2048 cycles/32 ms
•
CAS
before
RAS
refresh,
CAS
before
RAS
hidden refresh,
RAS-only
refresh capability
• Multi-bit test mode capability
• Fast Page Mode with EDO capability
PRODUCT FAMILY
Family
MSC2383257A-60BS16/DS16
MSC2383257A-70BS16/DS16
Access Time (Max.)
t
RAC
60 ns
70 ns
t
AA
30 ns
35 ns
t
CAC
15 ns
20 ns
Power Dissipation
Cycle Time
Operating (Max.) Standby (Max.)
(Min.)
110 ns
130 ns
5500 mW
5060 mW
88 mW
117
MSC2383257A-xxBS16/DS16
¡ Semiconductor
PIN CONFIGURATION
MSC2383257A-xxBS16/DS16
*1
107.95 ±0.2
101.19 Typ.
(Unit : mm)
9.30 Max.
3.38 ±0.2
φ
3.18
Typ.
6.35
25.4 ±0.2
Typ.
10.16
1
R1.57
1.27 ±0.1
6.35
95.25
1.04 Typ.
72 3.7 Min.
6.2 Min.
+0.1
1.27 –0.08
2.03 Typ.
6.35 Typ.
*1 The common size difference of the board width 12.5 mm of its height is
specified as ±0.2. The value above 12.5 mm is specified as ±0.5.
Pin No. Pin Name
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
V
SS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
V
CC
NC
A0
A1
A2
A3
Pin No. Pin Name
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
V
CC
Pin No. Pin Name
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
A8
A9
RAS3
RAS2
NC
NC
NC
NC
V
SS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
Pin No. Pin Name
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
NC
WE
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
V
CC
DQ29
Pin No. Pin Name
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
V
SS
Presence Detect Pins
Pin No.
67
68
69
70
Pin Name
PD1
PD2
PD3
PD4
MSC2383257A
-60BS16/DS16
NC
V
SS
NC
NC
MSC2383257A
-70BS16/DS16
NC
V
SS
V
SS
NC
118
¡ Semiconductor
MSC2383257A-xxBS16/DS16
BLOCK DIAGRAM
A0 - A10
RAS0
CAS0
WE
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
RAS1
CAS1
V
CC
V
SS
C1
C16
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
RAS2
CAS2
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
A0 - A10 DQ
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
DQ A0 - A10
DQ
RAS
DQ
CAS
DQ
WE
OE
V
CC
V
SS
1
RAS3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
CAS3
119
MSC2383257A-xxBS16/DS16
¡ Semiconductor
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on Any Pin Relative to V
SS
Voltage V
CC
Supply Relative to V
SS
Short Circuit Output Current
Power Dissipation
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
IN
, V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
T
opr
T
stg
Rating
–1.0 to 7.0
–1.0 to 7.0
50
16
0 to 70
–40 to 125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Note:
Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are
exceeded. Functional operation should be restricted to the conditions as detailed in the
operational sections of this data sheet. Exposure to absolute maximum rating conditions
for extended periods may affect device reliability.
(Ta = 0°C to 70°C)
Min.
4.5
0
2.4
–1.0
Typ.
5.0
0
—
—
Max.
5.5
0
6.5
0.8
Unit
V
V
V
V
Recommended Operating Conditions
Parameter
Power Supply Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Capacitance
Parameter
Input Capacitance (A0 - A10)
Input Capacitance (WE)
Input Capacitance (RAS0 -
RAS3)
Input Capacitance (CAS0 -
CAS3)
I/O Capacitance (DQ0 - DQ31)
Symbol
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
Typ.
—
—
—
—
—
Max.
109
125
35
35
26
(Ta = 25°C, f = 1 MHz)
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
Note :
Capacitance measured with Boonton Meter.
120
¡ Semiconductor
MSC2383257A-xxBS16/DS16
DC Characteristics
MSC2383257A
Parameter
Symbol
(V
CC
= 5 V ±10%, Ta = 0°C to 70°C)
MSC2383257A
-70BS16/DS16
Min.
–160
Max.
160
Unit Note
Condition
0 V
£
V
I
£
6.5 V;
-60BS16/DS16
Min.
Max.
160
1
Input Leakage Current
I
LI
All other pins not
under test = 0 V
D
OUT
disable
0 V
£
V
O
£
5.5 V
I
OH
= –5.0 mA
I
OL
= 4.2 mA
RAS, CAS
cycling,
t
RC
= Min.
RAS, CAS
= V
IH
–160
µA
Output Leakage Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
Average Power
Supply Current
(Operating)
Power Supply
Current (Standby)
Average Power
Supply Current
(RAS-only Refresh)
Average Power
Supply Current
(CAS before
RAS
Refresh)
Average Power
Supply Current
(Fast Page Mode)
I
LO
V
OH
V
OL
I
CC1
–20
2.4
0
—
—
—
20
V
CC
0.4
1000
32
16
–20
2.4
0
—
—
—
20
V
CC
0.4
920
32
16
µA
V
V
mA
mA
mA
1, 2
1
1
I
CC2
RAS, CAS
≥
V
CC
–0.2 V
RAS
cycling,
I
CC3
CAS
= V
IH
,
t
RC
= Min.
RAS
cycling,
—
1000
—
920
mA
1, 2
I
CC6
CAS
before
RAS,
t
RC
= Min.
RAS
= V
IL
,
—
1000
—
920
mA
1, 2
I
CC7
CAS
cycling,
t
HPC
= Min.
—
1160
—
1080
mA
1, 3
Notes:
1. I
CC
Max. is specified as I
CC
for output open condition.
2. Address can be changed once or less while
RAS=V
IL
.
3. Address can be changed once or less while
CAS=V
IH
.
121
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
