GaAs-IR-Lumineszenzdioden
GaAs Infrared Emitters
SFH 415
SFH 416
Cathode
29
27
9.0
8.2
spacing
2.54mm
0.4
0.8
1.8
1.2
7.8
7.5
5.9
5.5
0.4
0.6
Area not flat
Chip position
Approx. weight 0.2 g
GEO06645
0.6
0.4
2.54 mm
spacing
0.8
0.4
Area not flat
6.9
6.1
5.7
5.5
5.9
5.5
ø5.1
ø4.8
Approx. weight 0.4 g
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
q
GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
q
Gute Linearität (I
e
=
f
[
I
F
]) bei hohen Strömen
q
Sehr hoher Wirkungsgrad
q
Hohe Zuverlässigkeit
q
Hohe Impulsbelastbarkeit
q
SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
q
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
q
Gerätefernsteuerungen
Features
q
GaAs infrared emitting diodes, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
q
Good linearity (I
e
=
f
[
I
F
]) at high currents
q
High efficiency
q
High reliability
q
High pulse handling capability
q
SFH 415: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
q
IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
q
Remote control of various equipment
Semiconductor Group
1
1997-11-01
fex06630
1.8
1.2
29.5
27.5
Cathode (Diode)
Collector (Transistor)
4.0
3.4
Chip position
0.6
0.4
GEX06630
fexf6626
4.8
4.2
ø4.8
ø5.1
0.6
0.4
SFH 415
SFH 416
Typ
Type
SFH 415
SFH 415-T
SFH 415-U
SFH 416-R
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P296
Q62702-P1136
Q62702-P1137
Q62702-P1139
Gehäuse
Package
5-mm-LED-Gehäuse (T 1
3
/
4
), schwarz eingefärbt, An-
schluß im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
’’),
Kathodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1
3
/
4
), black-colored epoxy resin
lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (
1
/
10
’’), cathode
marking: short lead
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Sperrspannung
Reverse voltage
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom,
t
p
= 10
µs,
D
= 0
Surge current
Verlustleistung
Power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 55 ... + 100
100
5
100
3
165
450
Einheit
Unit
°C
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
;
T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
R
thJA
Semiconductor Group
2
1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A
Abstrahlwinkel
Half angle
SFH 415
SFH 416
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipfläche
Dimension of the active chip area
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
SFH 415
SFH 416
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
55
nm
ϕ
ϕ
±
17
±
28
0.09
0.3
×
0.3
Grad
deg.
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
H
t
r
,
t
f
4.2 ... 4.8
3.4 ... 4.0
0.5
mm
mm
µs
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.3
(≤
1.5)
2.3
(≤
2.8)
0.01
(≤
1)
V
V
µA
Φ
e
22
mW
Semiconductor Group
3
1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 0.5
Einheit
Unit
%/K
TC
I
TC
V
TC
λ
–2
+ 0.3
mV/K
nm/K
Gruppierung der Strahlstärke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
SFH
415
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Strahlstärke
Radiant intensity
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
µs
SFH
415-T
Werte
Values
SFH
415-U
SFH
416-R
Einheit
Unit
I
e min
I
e max
≥
25
–
25
50
> 40
–
> 10
–
mW/sr
mW/sr
I
e typ.
–
380
600
150
mW/sr
Semiconductor Group
4
1997-11-01
SFH 415
SFH 416
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(λ)
100
%
OHRD1938
Radiant intensity
I
e
=
f
(I
F
)
I
e
100 mA
OHR01551
Single pulse,
t
p
= 20
µ
s
Ι
e
10
2
A
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHR00883
Ι
F
mA
100
Ι
rel
80
Ι
e 100 mA
10
1
80
60
R
thjA
= 450 K/W
10
0
60
40
40
10
20
-1
20
0
880
920
960
1000
λ
nm
1060
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
0
0
20
40
60
80
100 ˚C 120
T
A
Forward current
I
F
=
f
(V
F
), single pulse,
t
p
= 20
µ
s
10
1
A
OHR01554
Radiation characteristics SFH 415
I
rel
=
f
(ϕ)
40
30
20
10
ϕ
0
1.0
OHR01552
Ι
F
10
0
50
0.8
60
0.6
10
-1
70
0.4
80
0.2
10
-2
90
10
-3
1
2
3
4
V
5
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
V
F
Radiation characteristics SFH 416
I
rel
=
f
(ϕ)
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
1.0
OHR01553
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°C,
duty cycle
D
= parameter
10
4
OHR00860
ϕ
50˚
Ι
F
mA
5
D
= 0.005
0.01
t
p
t
p
D=
T
T
Ι
F
0.8
60˚
0.6
0.02
10
3
0.1
0.2
0.05
70˚
0.4
80˚
90˚
0.2
0
5
0.5
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
DC
10
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
Semiconductor Group
5
1997-11-01
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
