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HFP830

Description
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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ManufacturerETC2
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HFP830 Overview

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
汕头华汕电子器件有限公司
HFP830
█ 主要用途
高压高速电源开关。
TO-220
对应½外型号
IRF830
█ 外½图及引脚排列
█ 极限值
(T
a
=25℃)
T
stg
——贮存温度…………………………………
-
55~150
T
j
——结温…………………………………………
-
55~150
1―栅
G
V
DSS
——漏极—源极电压…………………………………
500V
V
DGR
—— 漏极—栅极电压(R
GS
=1MΩ)
……………………………
500V
V
GS
——栅极—源极电压…………………………………
±
20V
I
D
——漏极电流(
T
c
=25
℃)…………………………………
4.5A
P
D
——耗散功率(
T
c
=25
℃)………………………………
75W
2―漏
D
3―源
S
█ 电参数
(T
a
=25℃)
参数符号
最小值
典型值
最大值
单 ½
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS
th
I
D(on)
R
DS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
T
d(on)
T
r
T
d(off)
T
f
Qg
Qgs
Qgd
I
S
V
SD
漏—源极击穿电压
零栅压漏极电流
栅极泄漏电流
栅—源极开启电压
导通状态漏极电流
漏—源极导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
断开延迟时间
下降时间
栅极总电荷
栅极—源极电荷
栅极—漏极电荷
源极—漏极二极管正向电流
源极—漏极二极管导通电压
500
25
±100
4.0
1.5
2.5
800
200
60
30
30
55
30
30
2.0
4.5
22
12
10
V
µA
nA
V
A
Ω
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
A
V
I
D
=250µA,V
GS
=0
V
DS
=500V,V
GS
=0
V
GS
=±20V,V
DS
=0
V
DS
=V
GS
,I
D
=250µA
V
DS
≥6.75V,V
GS
=10V
V
GS
=10V,I
D
=2.5A
V
DS
=10V,I
D
=2.5A
V
DS
=25V,
GS
=0,
V
f=1MHz
V
DD
=200V,
D
=2.5A
I
(峰
,R
值)
G
=15Ω
V
DS
=0.8V
DSS
,
V
GS
=10V,
I
D
=4.5A
I
S
=4.5A
V
GS
=0
4.5
1.6

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