Elektrische Eigenschaften
Höchstzulässige Werte
Periodische
Vorwärts-
und
Rückwärts-Spitzensperrspannung
Vorwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Rückwärts-
Stoßspitzensperrspannung
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
Dauergrenzstrom
Stoßstrom-Grenzwert
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Kritische Spannungssteilheit
TZ 335 F
Electrical properties
Maximum rated values
repetitive peak forward off-state
and reverse voltages
non-repetitive peak forward off-
state voltage
non-repetitive
peak
reverse
voltage
RMS on-state current
average on-state current
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= -40°C...t
vj max
t
vj
= +25°C...t
vj max
t
c
= 85°C
t
c
= 68°C
surge current
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
2
I t-value
t
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
critical rate of rise of on-state currentDIN IEC 747-6, f = 50 Hz
I
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of off-state voltaget
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe/6th letter B
6.Kennbuchstabe/6th letter C
6.Kennbuchstabe/6th letter L
6.Kennbuchstabe/6th letter M
Characteristic values
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 1300 A
t
vj
= t
vj max
t
vj
= t
vj max
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 12 V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
t
vj
= 25 °C, v
D
= 12 V, R
A
= 10
Ω
t
vj
= 25 °C,v
D
= 12 V, R
GK
> = 10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
V
DRM
, V
RRM
800, 1000, 1100,
1200, 1300
V
DSM
800, 1000, 1100,
1200, 1300
V
RSM
900, 1100, 1200,
1300, 1400
I
TRMSM
700
I
TAVM
335
445
I
TSM
11,3
10
2
I t
638 . 10
3
500 . 10
3
(di
T
/dt)
cr
200
(dv
D
/dt)
cr
2)
3)
V
1)
V
V
A
A
A
kA
kA
A
2
s
A
2
s
A/µs
50
500
500
1000
v
T
V
T(TO)
r
T
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
i
D
, i
R
t
gd
t
q
max.
50
500
50
500
1,85
1,15
0,42
250
2,2
10
5
0,25
250
1000
100
1,5
V/µs
V/µs
V/µs
V/µs
V
V
mΩ
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
mA
µs
Charakteristische Werte
Durchlaßspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zündstrom
Zündspannung
Nicht zündender Steuerstrom
Nicht zündende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents
vj
= t
vj max
t
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6, t
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
-di
T
/dt = 20 A/µs
dv
D
/dt = 6.Kennbuchstabe/6th letter
5.Kennbuchstabe/5th letter E
5.Kennbuchstabe/5th letter F
5.Kennbuchstabe/5th letter G
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
Thermische Eigenschaften
Innerer Wärmewiderstand
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul.Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
Mechanische Eigenschaften
Gehäuse, siehe Seite
Si-Elemente mit Druckkontakt
Innere Isolation
Anzugsdrehmoment
für
mechanische Befestigung
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
Gewicht
Kriechstrecke
Schwingfestigkeit
Thermal properties
thermal resistance, junction
V
ISOL
max.
max.
max.
20
25
30
3
µs
µs
µs
kV
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin R
thJC
R
thCK
t
vj max
t
c op
t
stg
max.
max.
max.
100
0,0800 °C/W
0,0765 °C/W
0,02 °C/W
125
°C
-40...+125
°C
-40...+130
°C
to case
pro Modul/per module,
Θ
=180° sin
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
Mechanical properties
case, see page
Si-pellet with pressure contact
internal insulation
mounting torque
terminal connection torque
weight
creepage distance
vibration resistance
Toleranz/tolerance +/- 15%
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M1
M2
G
typ.
AlN
5
12
900
15
50
Nm
Nm
g
mm
m/s²
1)
2)
3)
f = 50 Hz
1300 V auf Anfrage / 1300 V on demand
Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Meßbedingungen für t
q
. / Immediately after circuit commutated turn-off time, see parameters for t
q
.
TZ 335 F
3
2
10
1
v
G
[V]
5
4
3
2
10
0
5
4
3
2
10
-1
10
-2
2
3 4 5
2
3 4 5
2
3 4 5
i
G
[A]
b c
a
10
3
5
3
2
2
t
gd
10
[µs] 5
3
2
10
1
5
3
2
10
0
5
3
2
a
b
10
-1
10
0
10
1
TZ 335 F /5
10
-1
10
o
10
1
10
-1
10
-2
2
3
5
2
3
5
2
3
5
i
GM
[A]
2
TZ 335 F /8
Bild / Fig. 1
Steuercharakteristik v
G
= f(i
G
) mit Zündbereich für V
D
= 12V
Gate characteristic v
G
= f(i
G
)with triggering area for V
D
= 12V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
peak gate power dissipation P
GM
= f(t
g
):
a - 20W/10ms b - 40W/1ms
c - 60W/0.5ms
Bild / Fig. 2
Zündverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
GM
)
t
vj
= 25°C, di
G
/dt = i
GM
/1µs
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
1000
800
i
TM
=
1000A
0.08
0.07
Z
(th) JC
0.06
[
°
C/W]
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
0
10
-3
TZ 335 F /8
Q
s
[µAs]
500A
600
200A
400
100A
200
50A
20A
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180 200
DC
10
-2
10
-1
10
0
TZ 335 F /7
-di/dt [A/µs]
10
1
t [s]
10
2
Bild / Fig. 3
Sperrverzögerungsladung Q
s
in Abhängigkeit von der abkommutierenden
Stromsteilheit -di/dt bei t
vj
= t
vj max
, V
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Recovered charge Q
s
versus the rate of decay of the forward on-state
current -di/dt at t
vj
= t
vj max
, v
R
= 0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlaßstrom i
TM
/ On-state current i
TM
Bild / Fig. 4
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance
Z
(th)JC
= f(t)
10
5
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
5
3
2
P
TT
+P
T
[kW]
200
100
60
10
1
0.4
0.2
0.1
0.06
40 20
6
2
4
0.6
Z
thJC
=
Pos. n
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
1
2
3
0,1465
0,108
4
0,0254
0,57
5
0,0287
3
6
7
10
4
i
T
[A] 5
3
2
10
3
5
3
2
10
2
5
3
2
1
10
10
0
0,00194 0,00584
0,000732 0,00824
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
n=1
Σ
-
R
thn
(1-e
τ
n
)
t
2
3 4 5 6
10
1
2
3 4 5 6
10
2
2
t [µs]
3 4 5 6
10
3
TZ 335 F /9
Bild / Fig. 5
EDL-Diagramm / EDL-diagram
Summe aus Einschalt- und Durchlaßverlustleistung P
TT
+P
T
/
Sum of the turn-on and on-state power loss P
TT
+P
T
TT 335 F
10
4
7
5
4
3
i
TM
[A]
2
10
3
7
5
4
3
2
10
2
0.01
0.6
0.4
0.2
0.06
0.04
0.02
0.1
1
40
10
2
4
6
20
10
4
7
5
4
3
i
TM
[A]
2
10
3
7
5
4
3
2
10
2
±di
T/
dt =25 A/µs
20
4
6
10
40
W
tot
[Ws]
0,6
0,4
0,2
0,1
0,06
0,04
0,02
5 6
TZ 335 F /11
1
2
5 6
TZ 335 F /10
10
2
2
3
4 5 6
10
3
2
t
p
[µs]
3
4 5 6
10
4
10
2
2
3
4 5 6
10
3
2
3
4 5 6
t
w
[µs]
10
4
Bild / Fig. 6
Bild / Fig. 7
RC-Glied/RC-network:
T
T
T
w
RC-Glied/RC-network:
T
t
p
Lastkreis /Load circuit:
v
DM
≤
67% V
DRM
v
RM
≤
50V
dv
R
/dt
≤
100V/µs
10
4
7
5
4
3
i
TM
[A]
2
10
3
7
5
4
3
2
10
2
0.06
0.08
5 6
10
2
±di
T/
dt =25 A/µs
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω]
≥
0,02 *v
DM
[V]
i
G
=1A
C
≤
0,22µF
di
G
/dt =1A/µs
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie W
tot
je Durchlaßstromplus /
Total energy W
tot
per on-state current pulse
W
tot
[Ws]
20
40
10
4
7
5
4
3
i
TM
[A]
2
10
3
7
5
4
3
2
10
2
Lastkreis /Load circuit:
v
DM
≤
67% V
DRM
v
RM
≤
50V
dv
R
/dt
≤
100V/µs
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω]
≥
0,02 *v
DM
[V] i =1A
G
C
≤
0,33µF
di
G
/dt =1A/µs
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie W
tot
je Durchlaßstromplus /
Total energy W
tot
per on-state current pulse
±di
T/
dt =50 A/µs
W
tot
[Ws]
40
20
2
1
0.4
0.6
4
6
10
2
0.6
0.4
0.2
0.1
0.06
0.04
0.02
TZ 335 F /13
4
6
10
1
0.2
0.15
0.1
TZ 335 F /12
2
3
4 5 6
10
3
2
t
w
[µs]
3 4 5 6 10
4
5 6
10
2
2
3
4 5 6
10
3
Bild / Fig. 8
T
T
T
w
2
3 4 5 6
t
w
[µs]
10
4
RC-Glied / RC-network
Lastkreis /Load circuit:
v
DM
≤
67% V
DRM
v
RM
≤
67% V
RRM
dv
R
/dt
≤
600V/µs
10
4
7
5
4
3
i
TM
[A]
2
10
3
7
5
4
3
2
10
2
0.1
5 6
10
2
2
3
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω]≥ 0,02 *v
DM
[V] i =1A
G
C
≤
0,33µF
di
G
/dt =1A/µs
Bild / Fig. 9
T
T
T
w
RC-Glied/RC-network:
EDP-Diagramm / EDP-diagram
Gesamtenergie W
tot
je Durchlaßstromplus /
Total energy W
tot
per on-state current pulse
±di
T/
dt =50 A/µs
40
20
10
2
4
6
10
4
7
5
4
3
i
TM
[A]
2
10
3
7
5
4
3
2
10
2
Lastkreis /Load circuit:
v
DM
≤
67% V
DRM
v
RM
≤
50V
dv
R
/dt
≤
100V/µs
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω]
≥
0,02 *V
DM
[V] i
G
=1A
di
G
/dt =1A/µs
C
≤
0,33µF
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie W
tot
je Durchlaßstromplus /
Total energy W
tot
per on-state current pulse
±di
T
/dt=100A/µs
40 W
tot
[Ws]
20
W
tot
[Ws]
4
2
0.6
0.4
1
6
10
1
0.6
0.4
0.3
0.2
0.15
0.2
0.1
0.06
0.04
TZ 335 F /15
TZ 335 F /14
4 5 6
10
3
2
3
4 5 6
t
w
[µs]
10
4
5 6
10
2
2
3
4 5 6
10
3
2
3 4 5 6
t
w
[µs]
10
4
Bild / Fig. 10
T
T
T
w
RC-Glied/RC-network:
Lastkreis /Load circuit:
v
DM
≤
67% V
DRM
v
RM
≤
67% V
RRM
dv
R
/dt
≤
600V/µs
Steuergenerator /
Pulse generator:
R[Ω]
≥
0,02 *v
DM
[V] i
G
=1A
di
G
/dt =1A/µs
C
≤
0,33µF
Bild / Fig. 11
T
T
T
w
RC-Glied/RC-network:
R[Ω]
≥0,02
*v
DM
[V]
C
≤
0,33µF
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie W
tot
je Durchlaßstromplus /
Total energy W
tot
per on-state current pulse
Lastkreis /Load circuit:
v
DM
≤
67% V
DRM
v
RM
≤
50 V
dv
R
/dt
≤
100V/µs
Steuergenerator /
Pulse generator:
i
G
=1A
di
G
/dt =1A/µs
EDP-Diagramm /EDP-diagram
Gesamtenergie W
tot
je Durchlaßstromplus /
Total energy W
tot
per on-state current pulse
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
