Ordering number : EN6619B
5LP01C
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
5LP01C
Features
•
•
•
P-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Low ON-resistance
Ultrahigh-speed switching
2.5V drive
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
PW≤10μs, duty cycle≤1%
Conditions
Ratings
--50
±10
--0.07
--0.28
0.25
150
-
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
W
°C
°C
This product is designed to “ESD immunity < 200V*”, so please take care when handling.
*
Machine Model
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7013A-013
2.9
3
0.1
Product & Package Information
• Package
: CP
• JEITA, JEDEC
: SC-59, TO-236, SOT-23, TO-236AB
• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-H
0.5
Packing Type: TB
Marking
2.5
1.5
LOT No.
LOT No.
0.5
1
0.95
2
XB
0.4
TB
1 : Gate
2 : Source
3 : Drain
SANYO : CP
0.3
Electrical Connection
3
0.05
1.1
1
2
http://semicon.sanyo.com/en/network
62712 TKIM/33006PE MSIM TB-00002201/92500 TS IM TA-2036 No.6619-1/7
5LP01C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
Symbol
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
|
yfs
|
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
IS= --70mA, VGS=0V
VDS= --10V, VGS= --10V, ID= --70mA
See specified Test Circuit.
Conditions
ID= --1mA, VGS=0V
VDS= --50V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
VDS= --10V, ID= --100μA
VDS= --10V, ID= --40mA
ID= --40mA, VGS= --4V
ID= --20mA, VGS= --2.5V
ID= --5mA, VGS= --1.5V
VDS= --10V, f=1MHz
-
-0.4
70
100
18
20
30
7.4
4.2
1.3
20
35
160
150
1.40
0.16
0.23
--0.85
--1.2
23
28
60
Ratings
min
--50
--1
±10
--1.4
typ
max
Unit
V
μA
μA
V
mS
Ω
Ω
Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
VDD= --25V
VIN
0V
--4V
VIN
PW=10μs
D.C.≤1%
G
5LP01C
P.G
50Ω
S
D
ID= --40mA
RL=625Ω
VOUT
Ordering Information
Device
5LP01C-TB-E
5LP01C-TB-H
Package
CP
CP
Shipping
3,000pcs./reel
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
Pb Free and Halogen Free
No.6619-2/7
5LP01C
--0.07
ID -- VDS
--6
.0V
--0.14
ID -- VGS
Ta=
--
25
°
C
.5V
--3
.0
V
V
--0.06
--
5
2.
V
--0.12
VDS= --10V
--4
.0
Drain Current, ID -- A
--3
--0.05
Drain Current, ID -- A
--0.10
--0.03
--0.06
--0.02
VGS= --1.5V
--0.04
--0.01
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8
--2.0
--0.02
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
40
IT00090
100
RDS(on) -- VGS
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
75
°
--0.04
--0.08
C
25
°
C
--2.0V
IT00091
RDS(on) -- ID
Ta=25°C
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) --
Ω
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) --
Ω
35
7
VGS= --4V
30
5
25
3
--20mA
20
ID= --40mA
Ta=75°C
2
25°C
--25°C
15
10
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
--9
--10
10
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
1000
7
IT00092
100
RDS(on) -- ID
Drain Current, ID -- A
IT00093
RDS(on) -- ID
VGS= --2.5V
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) --
Ω
7
VGS= --1.5V
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) --
Ω
5
3
2
5
100
7
5
3
2
3
Ta=75°C
25°C
--25°C
25°C
Ta=75°C
--25°C
2
3
5
7
--0.1
2
3
2
10
--0.01
10
--0.001
2
3
5
7
--0.01
2
3
Drain Current, ID -- A
40
IT00094
1.0
Drain Current, ID -- A
IT00095
RDS(on) -- Ta
|
y
fs
|
-- ID
Forward Transfer Admittance,
|
yfs
|
-- S
7
5
3
2
VDS= --10V
Static Drain-to-Source
On-State Resistance, RDS(on) --
Ω
35
30
25
20
.5V
--2
=
S
.0V
, VG
--4
A
=
0m
S
--2
VG
=
A,
ID
0m
-4
=-
ID
0.1
7
5
3
2
5
°
C
Ta= --2
75
°
C
25
°
C
15
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0.01
--0.01
2
3
5
7
--0.1
2
3
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT00096
Drain Current, ID -- A
IT00097
No.6619-3/7
5LP01C
3
2
IS -- VSD
VGS=0V
Switching Time, SW Time -- ns
1000
7
5
3
2
SW Time -- ID
VDD= --25V
VGS = --4V
tf
td(off)
Source Current, IS -- A
--0.1
7
5
100
7
5
3
2
3
tr
td(on)
25
°
C
--25
°
C
2
Ta=7
5
°
C
--0.01
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
IT00098
10
--0.01
2
3
5
7
Diode Forward Voltage, VSD -- V
100
7
5
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
f=1MHz
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Drain Current, ID -- A
--10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
0
--0.1
IT00099
VGS -- Qg
VDS= --10V
ID= --70mA
Ciss, Coss, Crss -- pF
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Ciss
Coss
Crss
--35
--40
--45
--50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
0.30
IT00100
Total Gate Charge, Qg -- nC
IT00101
PD -- Ta
Allowable Power Dissipation, PD -- W
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta --
°C
IT02382
No.6619-4/7
5LP01C
Embossed Taping Specification
5LP01C-TB-E, 5LP01C-TB-H
No.6619-5/7
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
