Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak foward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
,
T
vj
= T
vj max
,
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
i
T
=
i
T
=
2850 A v
T
650 A v
T
V
T(TO)
r
T
A = 1,2455E+00
B = 3,7164E-04
C = -1,0398E-01
D = 1,9701E-02
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 6V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
=25°C, v
D
= 6V, R
A
=5Ω
T
vj
=25°C,v
D
=6V,R
GK
>=10
Ω
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25°C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
I
L
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250
2,2
10
5
0,25
300
1500
mA
V
mA
mA
V
mA
mA
max.
max.
2,53
1,32
1
0,50
V
V
V
mΩ
T
C
= 85 °C
T
C
= 56 °C
T
vj
= 25°C, t
p
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
2200
2400
2600
2400
2600
2500
2700
1500
659
955
13000
11500
845
660
150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A 1)
A
A²s*10³
A²s*10³
A/µs
T
vj
= - 40°C...T
vj max
V
DSM
2200
T
vj
= + 25°C...T
vj max
V
RSM
2300
I
TRSMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
f=50 Hz, vL = 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
5.Kennbuchstabe/5th letter F
1000
V/µs
v
T
=
A
+
B
⋅
i
T
+
C
⋅
Ln
(
i
T
+
1)
+
D
⋅
i
T
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündene Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
Zündverzug
gate controlled delay time
i
D
, i
R
t
gd
max.
max.
100
4
mA
µs
1) Gehäusegrenzstrom 12kA (50Hz Sinushalbwelle). / Current limit of case 12kA (50Hz sinusoidal half-wave).
prepared by: K.-A.Rüther
approved by: J. Novotny
data of publication: 2001-03-19
revision: 1
BIP AM
A 04/01
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1
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutatet turn-off time
t
q
typ.
300
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resitance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ=180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ=180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ=180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
R
thJK
max. 0,0050
max. 0,0100
T
vj max
T
c op
T
stg
125
-40,,,+125
-40,,,+140
°C/W
°C/W
°C
°C
°C
0,0330
0,0300
0,0537
0,0511
0,0816
0,0732
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs- Wärmewiderstand
thermal resitance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
Seite 3
page 3
F
G
typ.
10,5...21
100
25
C
50
kN
g
mm
f = 50Hz
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
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Zn. Nr.: 1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
0,000134
0,000183
2
0,001636
0,001660
3
0,001950
0,009370
4
0,009680
0,119000
5
0,016800
0,939000
6
7
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,000455
0,000251
0,003885
0,002430
0,003310
0,054400
0,013800
0,183000
0,029650
1,140000
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,000708
0,000320
0,007242
0,003870
0,013700
0,023200
0,026650
0,138000
0,024900
0,9000
τ
n
[s]
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
Σ
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
n=1
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A 04/01
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 658 N 22...26
N
4.000
3.500
3.000
2.500
i
T
[A]
2.000
1.500
1.000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
v
T
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj
max
BIP AM / 01-03-19, K.-A. Rüther
A 04/01
Z. Nr.: 2
Seite/page 5
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
