Product Specifications
PART NO.:
VL470L2925-R3SG
REV: 1.0
General Information
1GB 128Mx64 DDR SDRAM NON-ECC UNBUFFERED SODIMM 200-PIN
Description
The VL470L2925 is a 128Mx64 Double Data Rate SDRAM high density SODIMM. This dual rank memory module
consists of sixteen CMOS 64Mx8 bits with 4 banks Synchronous DRAMs in BGA packages and a 2K EEPROM in an
8-pin TSSOP package. This module is a 200-pin small-outline dual in-line memory module and is intended for
mounting into an edge connector socket. Decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board for each
DDR SDRAM.
Features
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
200-pin, small-outline dual in-line memory module (SODIMM)
Two data transfers per clock cycle
VDD = VDDQ = 2.5V +/-0.2V for DDR333
JEDEC standard 2.5V I/O (SSTL_2 compatible)
VDDSPD = 2.3V to 3.6V
Bi-directional data-strobe (DQS)
Differential clock inputs (CK and CK#)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable read latency: DDR333 (2.5 clock)
Programmable burst; length (2, 4, 8)
Programmable burst (sequential & interleave)
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval (8K/64ms refresh)
Serial presence detect (SPD) with EEPROM
Lead-free, RoHS compliant
JEDEC pinout
Gold edge contacts
PCB: Height 31.75mm (1.250”), double sided component
o
Operating temperature (T
A
): -40 to +85 C (module screening using
commercial DRAM)
Pin Description
Pin Name
A0~A12
A0~A9, A11
BA0~BA1
DQ0~DQ63
DQS0~DQS7
DM0~DM7
CK0, CK0#
CK1, CK1#
CKE0, CKE1
CS0#, CS1#
RAS#
CAS#
WE#
VDD
VDDQ
VSS
VREF
Function
Row Address Inputs
Column Address Inputs
Bank Address Inputs
Data Input/Output
Data Strobes Input/Output
Data Mask
Clock Input
Clock Enables Input
Chip Selects Input
Row Address Strobes
Column Address Strobes
Write Enable
Voltage Supply
Voltage Supply for DQS
Ground
Power Supply Reference
SPD Voltage Supply
SPD Address
SPD Data Input/Output
SPD Clock Input
No Connect
Order Information:
VL470L2925 - R3 S G
DRAM DIE
G-DIE
DRAM MANUFACTURER
S - SAMSUNG
MODULE SPEED
R3: PC2700 @CL2.5
(R: Screening grade)
VL: Lead-free/RoHS
DRAM component: Samsung K4H510838G-HCB3
VDDSPD
SA1~SA2
SDA
SCL
NC
Tel 949.888.2444 – 30052 Tomas, Rancho Santa Margarita, CA 92688 USA –
www.virtium.com
1
Product Specifications
PART NO.:
VL470L2925-R3SG
REV: 1.0
Pin Configuration
200-PIN DDR SODIMM FRONT
Pin
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
Name
VREF
VSS
DQ0
DQ1
VDD
DQS0
DQ2
VSS
DQ3
DQ8
VDD
DQ9
DQS1
VSS
DQ10
DQ11
VDD
CK0
CK0#
VSS
DQ16
DQ17
VDD
DQS2
DQ18
Pin
51
53
55
57
59
61
63
65
67
69
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
Name
VSS
DQ19
DQ24
VDD
DQ25
DQS3
VSS
DQ26
DQ27
VDD
CB0*
CB1*
VSS
DQS8*
CB2*
VDD
CB3*
Pin
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
Name
A9
VSS
A7
A5
A3
A1
VDD
A10
BA0
WE#
CS0#
NC
VSS
DQ32
DQ33
VDD
DQS4
DQ34
VSS
DQ35
DQ40
VDD
DQ41
DQS5
VSS
Pin
151
153
155
157
159
161
163
165
167
169
171
173
175
177
179
181
183
185
187
189
191
193
195
197
199
Name
DQ42
DQ43
VDD
VDD
VSS
VSS
DQ48
DQ49
VDD
DQS6
DQ50
VSS
DQ51
DQ56
VDD
DQ57
DQS7
VSS
DQ58
DQ59
VDD
SDA
SCL
VDDSPD
NC
Pin
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
Name
VREF
VSS
DQ4
DQ5
VDD
DM0
DQ6
VSS
DQ7
DQ12
VDD
DQ13
DM1
VSS
DQ14
DQ15
VDD
VDD
VSS
VSS
DQ20
DQ21
VDD
DM2
DQ22
200-PIN DDR SODIMM BACK
Pin
52
54
56
58
60
62
64
66
68
70
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
Name
VSS
DQ23
DQ28
VDD
DQ29
DM3
VSS
DQ30
DQ31
VDD
CB4*
CB5*
VSS
DM8*
CB6*
VDD
CB7*
NC
VSS
VSS
VDD
VDD
CKE0
NC
A11
Pin
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
146
148
150
Name
A8
VSS
A6
A4
A2
A0
VDD
BA1
RAS#
CAS#
CS1#
CS2#*
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
VSS
DQ39
DQ44
VDD
DQ45
DM5
VSS
Pin
152
154
156
158
160
162
164
166
168
170
172
174
176
178
180
182
184
186
188
190
192
194
196
198
200
Name
DQ46
DQ47
VDD
CK1#
CK1
VSS
DQ52
DQ53
VDD
DM6
DQ54
VSS
DQ55
DQ60
VDD
DQ61
DM7
VSS
DQ62
DQ63
VDD
SA0
SA1
SA2
NC
CS3#* 135
VSS
CK2*
CK2#*
VDD
CKE1
NC
A12
137
139
141
143
145
147
149
Note: *: These pins are not used in this module.
Tel 949.888.2444 – 30052 Tomas, Rancho Santa Margarita, CA 92688 USA –
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2
Product Specifications
PART NO.:
VL470L2925-R3SG
REV: 1.0
Function Block Diagram
CS1#
CS0#
DQS0
DM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQS2
DM2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS7
DM7
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQS6
DM6
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS5
DM5
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DQS4
DM4
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
DM
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CS# DQS
D0
D8
D4
D12
D1
D9
D5
D13
D2
D10
D6
D14
D3
D11
D7
D15
BA0~BA1
A0~A12
RAS#
CAS#
WE#
CKE0
CKE1
BA0~BA1: DDR SDRAMs D0~D15
A0~A12: DDR SDRAMs D0~D15
RAS#: DDR SDRAMs D0~D15
CAS#: DDR SDRAMs D0~D15
WE#: DDR SDRAMs D0~D15
CKE0: DDR SDRAMs D0~D7
CKE0: DDR SDRAMs D8~D15
Vss
SCL
WP
Serial PD
SDA
A0
A1
A2
Clock Wiring
Clock Input
CK0, CK0#
CK1, CK1#
DDR SDRAMs
8 SDRAMs
8 SDRAMs
SA0 SA1 SA2
VDDSPD
VDD/ VDDQ
Serial PD
D0-D15
D0-D15
D0-D15
Notes:
1. Unless otherw ise noted, resistor values are 22 ohms +/-5%
VREF
VSS
Tel 949.888.2444 – 30052 Tomas, Rancho Santa Margarita, CA 92688 USA –
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3
Product Specifications
PART NO.:
VL470L2925-R3SG
REV: 1.0
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VIN, VOUT
VDD, VDDQ
TSTG
TA
PD
IOS
Notes:
Permanent device damage may occur if ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS are exceeded.
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.
Parameter
Voltage on any pin relative to VSS
Voltage on VDD & VDDQ supply relative to VSS
Storage temperature
Operating temperature
Power dissipation
Short circuit current
Value
-0.5 ~ 3.6
-1.0 ~ 3.6
-55 ~ +150
-40 ~ +85
16
50
Unit
V
V
0
0
C
C
W
mA
DC Operating Conditions
Alls voltages referenced to VSS
TA = -40
0
C to +85
0
C
Symbol
VDD
VDDQ
VREF
VTT
VIH(DC)
VIL(DC)
VIN(DC)
VID(DC)
VIX(DC)
Supply voltage
I/O Supply voltage
I/O Reference voltage
I/O Termination voltage
Input logic high voltage
Input logic low voltage
Parameter
Min
2.3
2.3
0.49 * VDDQ
VREF-0.04
VREF+0.15
-0.3
-0.3
0.3
0.3
-32
-16
-16
-4
-10
-16.8
16.8
-9
9
Max
2.7
2.7
0.51 * VDDQ
VREF+0.04
VDDQ+0.30
VREF-0.15
VDDQ+0.30
VDDQ+0.60
VDDQ+0.60
32
16
16
4
10
-
-
-
-
Unit
V
V
V
V
V
V
V
V
V
uA
uA
uA
uA
uA
mA
mA
mA
mA
Note
1
2
Input voltage level, CK and CK#
Input differential voltage, CK and CK#
Input crossing point voltage, CK and CK#
Address, CAS#,RAS#,WE#
3
II
Input leakage current
CS#,CKE
CK, CK#
DM
IOZ
IOH
IOL
IOH
IOL
Output leakage current
Output high current(normal strength) VOUT = v + 0.84V
Output high current(normal strength) VOUT = VTT - 0.84V
Output high current(half strength) VOUT = VTT + 0.45V
Output high current(half strength) VOUT = VTT - 0.45V
Notes:
1. VREF is expected to be equal to 0.5*VDDQ of the transmitting device, and to track variations in the DC level of the same.
Peak to peak noise on VREF may not exceed +/- 2% of the DC value.
2. VTT is not applied directly to the device. VTT is a system supply for signal termination resistors, is expected to be set equal to
VREF, and must track variations in the DC level of VREF.
3. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input level of CK#.
Tel 949.888.2444 – 30052 Tomas, Rancho Santa Margarita, CA 92688 USA –
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4
Product Specifications
PART NO.:
VL470L2925-R3SG
REV: 1.0
AC Operating Conditions
All voltages referenced to VSS
TA = -40
0
C to +85
0
C
Symbol
VIH(AC)
VIL(AC)
VID(AC)
VIX(AC)
Parameter
Input High (Logic 1) Voltage
Input Low (Logic 0) Voltage
Input Differential Voltage, CK and CK# inputs
Input Crossing Point Voltage, CK and CK# inputs
Min
VREF + 0.31
-
0.70
0.5*VDDQ - 0.2
Max
-
VREF - 0.31
VDDQ + 0.60
0.5*VDDQ + 0.2
Unit
V
V
V
V
Input/Output Capacitance
0
TA=25 C, f=100MHz
Parameter
Input capacitance (A0~A12, BA0~BA1, RAS#, CAS#, WE#)
Input capacitance (CKE0, CKE1)
Input capacitance (CS0#, CS1#)
Input capacitance (CK0, CK0#, CK1, CK1#)
Input/Output capacitance (DQ, DQS, DQS#, DM)
Symbol
CIN1
CIN2
CIN3
CIN4
CIO
Min
28
16
16
16
11
Max
44
24
24
24
13
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
Tel 949.888.2444 – 30052 Tomas, Rancho Santa Margarita, CA 92688 USA –
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5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
