PT438
产品简介
PT438
是为单节锂离子电池供电系统（例如手机电池包）而设计的专用芯片，用来防止锂离子电池因
为过充电、过放电和（或）过流造成损坏或寿½减少。超小型的封装和较少的外部元件需求，½
PT438
可
以完美的集成到有限的电池包空间中去。精确的过充电保护电压确保了安全并充足的充电。½功耗设计½
芯片在电池工½及储存期间静态功耗极½。
产品特性
（1）高精度电压检测电路
● 过充电检测电压
4.375V
精度±25mV
● 过充电释放电压
4.10V
精度±50mV
● 过放电检测电压
2.40V
精度±100mV
● 过放电释放电压
3.00V
精度±100mV
● 放电过流检测电压
176mV
精度±36mV
● 负½½短路检测电压
1.00V
精度±300mV
（2）各延迟时间由内部电路设½（不需要外接电容）
● 过充电检测延迟时间
典型值 100ms
● 过放电检测延迟时间
典型值 50ms
● 放电过流电检测延迟时间
典型值 10ms
● 负½½短路检测延迟时间
典型值 50us
（3）休眠功½：可以选择“有”或者“无”
（详见产品目½）
（4）过放电恢复功½：可以选择“有”或者“无”
（详见产品目½）
（5）½功耗电流
● 工½模式
典型值 3.0uA，最大值 6.0uA（VCC=3.9V）
（6） 0V 电池充电功½
（7 ）工½温度范围：-40℃~+85℃
（8）小型封装：SOT23-6L
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2017-7-6
PT438
正常工½状态
此 IC 持续侦测连接在 VCC 和 GND 之间的电池电压，
以及 CS 与 GND 之间的电压差，
来控制充电和放电。
½电池电压在过放电检测电压（VODP）以上并在过充电检测电压（VOCP）以下，且 CS 端子电压在充电器检
测电压（VCH）以上并在放电过流检测电压（VOI1）以下时，IC 的 OC 和 OD 端子½输出高电平，½充电控制
用 MOSFET 和放电控制用 MOSFET 同时导通，这个状态称为正常工½状态。此状态下，充电和放电½可以自
由进行。
注意：初次连接电芯时，会有不½放电的可½性，此时短接 CS 端子和 GND 端子，或者连接充电器，就
½恢复到正常工½状态。
过充电保护
½电池电压高于过充电保护电压(VOCP)并超过过充电延时时间(TOC)周期，充电动½将通过关断充电控
制 MOSFET 被禁止。过充电延时时间默认为 100ms。过充电保护将在以下两种情况下解除：
（1）电池通过自放电，电压下降到½于过充电释放电压(VOCR)。
（2）电池电压下降到½于过充电保护电压(VOCP) 且连接了一个负½½。
½电池电压高于 VOCP, 即便在一个负½½被连接的情况下，过充保护也不会释放。
过放电保护及休眠状态
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有休眠功½的型号
½电池电压½于过放电保护电压(VODP) 并超过过放电延时(TOD)周期，放电动½将通过关断放电控制
MOSFET 被禁止。过放电延时时间默认为 50 ms。
½关闭放电控制用的 MOSFET 后，CS 由内部电阻上拉到 VCC，½芯片耗电流减小到休眠时的耗电流值，
这个状态称为休眠状态。
过放电状态的释放，有以下两种情况：
（1） 连接充电器，若 CS 端电压½于充电器检测电压（VCH）
，½电池电压高于过放检测电压（VODP）
时，过放电状态释放，恢复正常工½状态。
（2） 连接充电器， CS 端电压高于充电器检测电压
若
（VCH） ½电池电压高于过放电释放电压
，
（VODR）
时，过放电状态释放，恢复到正常工½状态。
有过放自恢复功½的型号
正常工½状态下的电池，在放电过程中，½电池电压降½到过放电检测电压（VODP）以下，并且这种
状态持续的时候超过放电检测延迟时间（TOD）以上时，
PT438
系列 IC 会关闭放电控制用的 MOSFET（OD 端
子）
，停止放电，这个状态称为过放电状态。
过放电状态的释放，有以下三种方法：
（1）
连接充电器， CS 端电压½于充电器检测电压
若
（VCH）½电池电压高于过放电检测电压
，
（VODP）
时，过放电状态释放，恢复到正常工½状态。
（2）
连接充电器， CS 端电压高于充电器检测电压
若
（VCH）½电池电压高于过放电释放电压
，
（VODR）
时，过放电状态释放，恢复到正常工½状态。
（3）
没有连接充电器时，如果电池电压自恢复到高于过放电释放电压（VODR）时，过放电状态释
放，恢复到正常工½状态，即有过放自恢复功½。
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2017-7-6
Analog electronics
京公网安备 11010802033920号
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