ES8P5086/ES8P5088
数据手册
东½½½波
MCU
芯片½用注意事项
关于芯片的上/下电
东½½½波
MCU
芯片具有独立电源管脚。½
MCU
芯片应用在多电源供电系统时,应先对
MCU
芯片上电,再对系统
其他部件上电;反之,下电时,先对系统其他部件下电,再对
MCU
芯片下电。若操½顺序相反则可½导致芯片内
部元件过压或过流,从而导致芯片故障或元件退化。具½可参照芯片的数据手册说明。
关于芯片的复½
东½½½波
MCU
芯片具有内部上电复½。对于不同的快速上/下电或慢速上/下电系统,内部上电复½电路可½失效,
建议用户½用外部复½、下电复½、看门狗复½等,确保复½电路正常工½。在系统设计时,若½用外部复½电路,
建议采用三极管复½电路、RC 复½电路。若不½用外部复½电路,建议采用复½管脚接电阻到电源,或采取必要
的电源抖动处理电路或其他保护电路。具½可参照芯片的数据手册说明。
关于芯片的时钟
东½½½波
MCU
芯片具有内部和外部时钟源。内部时钟源会随着温度、电压变化而偏移,可½会½响时钟源精度;
外部时钟源采用陶瓷、晶½振荡器电路时,建议½½起振延时;½用
RC
振荡电路时,需考虑电容、电阻匹配;采
用外部有源晶振或时钟输入时,需考虑输入高/½电平电压。具½可参照芯片的数据手册说明。
关于芯片的初始化
东½½½波
MCU
芯片具有各种内部和外部复½。对于不同的应用系统,有必要对芯片寄存器、内存、功½模块等进
行初始化,尤其是
I/O
管脚复用功½进行初始化,避免由于芯片上电以后,I/O 管脚状态的不确定情况发生。
关于芯片的管脚
东½½½波
MCU
芯片具有½范围的输入管脚电平,建议用户输入高电平应在
VIHMIN
之上,½电平应在
VILMAX
之
下。避免输入电压介于
VIHMIN
和
VILMAX
之间,以免波动噪声进入芯片。对于未½用的输入/输出管脚,建议用户
设为输入状态,并通过电阻上拉至电源或下拉至地,或设½为输出管脚,输出固定电平并浮空。对未½用的管脚处
理因应用系统而异,具½遵循应用系统的相关规定和说明。
关于芯片的
ESD
防护措½
东½½½波
MCU
芯片具有满足工业级
ESD
标准保护电路。
建议用户根据芯片存储/应用的环境采取适½静电防护措½。
应注意应用环境的湿度;建议避免½用容易产生静电的绝缘½;存放和运输应在抗静电容器、抗静电屏½袋或导电
材料容器中;包括工½台在内的所有测试和测量工具必须保证接地;操½者应该½戴静电消除手腕环手套,不½用
手直接接触芯片等。
关于芯片的
EFT
防护措½
东½½½波
MCU
芯片具有满足工业级
EFT
标准的保护电路。½
MCU
芯片应用在
PCB
系统时,需要遵守
PCB
相关
设计要求,包括电源、地走线(包括数字/模拟电源分离,单/多点接地等)
、复½管脚保护电路、电源和地之间的去
耦电容、高½频电路单独分别处理以及单/多层板选择等。
关于芯片的开发环境
东½½½波
MCU
芯片具有完整的½/硬件开发环境,并受知识产权保护。选择上海东½½½波微电子有限公司或其指定
的第三方公司的汇编器、编译器、编程器、硬件仿真器开发环境,必须遵循与芯片相关的规定和说明。
注:在产品开发时,如遇到不清楚的地方,请通过销售或其它方式与上海东½½½波微电子有限公司联系
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产品订购信息
型 号
ES8P5088FLLQ
ES8P5088FLLP
ES8P5088FLNK
ES8P5088FLLK
ES8P5086FJLK
ES8P5086FJSK
ES8P5088FLLQ_
xxx
FLASH
128KB
128KB
128KB
128KB
72KB
72KB
128KB
RAM
24KB
24KB
24KB
24KB
16KB
16KB
24KB
I/O
45
41
29
29
29
29
45
Timer
16-bit X 4,
32-bit X 1
16-bit X 4,
32-bit X 1
16-bit X 4,
32-bit X 1
16-bit X 4,
32-bit X 1
16-bit X 4,
32-bit X 1
16-bit X 4,
32-bit X 1
16-bit X 4,
32-bit X 1
RTC
1
1
1
1
1
1
1
UART
6
6
6
6
6
6
6
SPI
1
1
1
1
1
1
1
I2C
1
1
1
1
1
1
1
ADC
12bit×15
12bit×15
12bit×12
12bit×14
12bit×14
12bit×13
12bit×15
LVD
√
√
√
√
√
√
√
封装类型
LQFP48
LQFP44
QFN32
LQFP32
LQFP32
SOP32
LQFP48
注:产品型号中的_xxx 代表为不同客户订购的产品型号。
Example:
ES8P
5088 F
L
LQ _xxx
Order for Customer
Package
LQ
—
LQFP48
LP
—
LQFP44
NK
—
QFN32
LK
—
LQFP32
SK
—
SOP32
Code Size
L
—
128K Bytes
J
—
72K Bytes
Code MEM Type
F
—
FLASH
Part No.
Device Family
ES8P
—
32-Bit MCU based on ARM Cortex-M0 CPU Core
地 址:中½上海市龙漕路
299
号天华信息科技园
2A
楼
5
层
邮 编:200235
E-mail:support@essemi.com
电 话:+86-21-60910333
传 真:+86-21-60914991
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版权所有©
上海东½½½波微电子有限公司
本资料内容为上海东½½½波微电子有限公司在现有数据资料基础上慎重且力求准确无误编制而成,本资料中所记½½
的实例以正确的½用方法和标准操½为前提,½用方在应用该等实例时请充分考虑外部诸条件,上海东½½½波微电
子有限公司不担保或确认该等实例在½用方的适用性、适½性或完整性,上海东½½½波微电子有限公司亦不对½用
方因½用本资料所有内容而可½或已经带来的风险或后果承担任½法律责任。
基于½本资料的内容更加完善等原因,
上海东½½½波微电子有限公司保留未经预告的修改权。½用方如需获得最新的产品信息,请随时用上述联系方式与
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数据手册
目
内容目½
第
1
章
1. 1
1. 2
1. 3
1. 4
½
1. 5
第
2
章
2. 1
2. 2
2. 3
2. 4
2. 5
2. 6
芯片简介
................................................................................................................... 14
概述
.......................................................................................................................... 14
应用领域
................................................................................................................... 17
结构框图
................................................................................................................... 18
管脚分配图
............................................................................................................... 19
1. 4. 1 48-pin
管脚封装图
............................................................................................. 19
1. 4. 2 44-pin
管脚封装图
............................................................................................. 20
1. 4. 3 32-pin
管脚封装图
............................................................................................. 21
管脚说明
................................................................................................................... 24
1. 5. 1
管脚说明
............................................................................................................ 24
1. 5. 2
管脚对照表
........................................................................................................ 25
系统控制及操½特性
................................................................................................. 28
系统控制保护
............................................................................................................ 28
2. 1. 1
概述
................................................................................................................... 28
2. 1. 2
特殊功½寄存器
................................................................................................. 28
系统电源
................................................................................................................... 29
2. 2. 1
结构框图
............................................................................................................ 29
2. 2. 2
芯片供电电源
.................................................................................................... 29
系统复½
................................................................................................................... 29
2. 3. 1
概述
................................................................................................................... 29
2. 3. 2
结构框图
............................................................................................................ 29
2. 3. 3
复½时序图
........................................................................................................ 30
2. 3. 4
外部复½
MRSTN
参考
...................................................................................... 31
2. 3. 5
外设模块复½控制
............................................................................................. 32
2. 3. 6
特殊功½寄存器
................................................................................................. 32
½电压监测(LVD)
................................................................................................. 36
2. 4. 1
概述
................................................................................................................... 36
2. 4. 2
特殊功½寄存器
................................................................................................. 36
系统½功耗操½模式
................................................................................................. 38
2. 5. 1
概述
................................................................................................................... 38
2. 5. 2
浅睡眠模式
........................................................................................................ 38
2. 5. 3
深度睡眠模式
.................................................................................................... 38
2. 5. 4
睡眠模式的唤醒
................................................................................................. 39
2. 5. 5
睡眠模式的唤醒时间
......................................................................................... 39
2. 5. 6 FLASH
存储器等待功½
.................................................................................... 39
2. 5. 7
特殊功½寄存器
................................................................................................. 40
系统时钟
................................................................................................................... 42
2. 6. 1
概述
................................................................................................................... 42
2. 6. 2
结构框图
............................................................................................................ 43
2. 6. 3
功½说明
............................................................................................................ 43
2. 6. 3. 1
外部时钟
XTAL....................................................................................... 43
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