Design of Microwave Ultra-Wideband Low Noise Amplifier

              Design of microwave ultra-wideband low noise amplifier Vol. 35 No. 3 Sep. 2002 Journal of Nankai University (Natural Science)A cta Science Naturalium U n iv ersita tis N anka iensisVol . 35 №3 Sep. 2002 Article No.: 046527942 ( 2002) 0320074205ΞDesign of microwave ultra-wideband low noise amplifier Jiang Ming1 Feng Honghui1 Chen Xinqi2( 1. School of Information Technology Science, Nankai University, Tianjin 300071, China; 2. The 13th Institute of Electronics, Ministry of Information Industry, Shijiazhuang 050051, China)AbstractA small ultra-wideband low noise transistor amplifier is designed and fabricated. It adopts all-microstrip matching network and negative feedback technology, and makes use of the new transistor device HEMT. The design is assisted by the self-written program M M Atch and the commercial software Touchstone. The gain is > 29.4dB, the gain flatness is < 5%, the noise figure is < 1.8dB, the input and output standing wave ratios are < 2.2, 1dB, and the compression point output power is > 17.9dBm in the ultra-wideband range of 0.9-3.6GHz. The amplifier is made on a 52×25mm2 polytetrafluoroethylene substrate and meets the design requirements after testing. Keywords: high mobility transistor; negative feedback; ultra-wideband low noise amplifier; computer-aided design Chinese Library Classification Number: TN 722.1+6 Document Identification Code: A0 Introduction As optical fiber communication, mobile communication, satellite communication, electronic countermeasures, microwave measuring instruments, etc. develop towards miniaturization, broadband, low noise and higher operating frequency bands, the low noise and broadband design issues of microwave transistor amplifiers have received more and more attention. As we all know, An important indicator for measuring communication quality is the signal-to-noise ratio. It is difficult to increase signal power, and the key to improving the signal-to-noise ratio is to reduce the noise factor of the receiver. Therefore, a low-noise amplifier needs to be placed at the front end of the receiver...