Wide bandgap semiconductor power electronic devices and their applications PDF high-definition electronic version

\"Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices and Their Applications\" by Chen Zhiming and Li Shouzhi \"Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices and Their Applications\" introduces the principles, characteristics, design and manufacturing methods and applications of wide bandgap semiconductor power electronic devices such as silicon carbide, gallium nitride and diamond, and summarizes the main achievements of this new field over the past decade. The content includes: semiconductor physics foundation, basic principles, characteristics and typical devices of power electronic devices, material selection of power electronic devices, silicon carbide rectifiers, power MOSFET, power JFET and MESFET, BJT, SICGT, IGBT, high-voltage devices in silicon carbide power integrated circuits, gallium nitride power devices, diamond devices, wide bandgap semiconductor power modules, and typical applications of wide bandgap semiconductor power electronic devices in switching power supply power factor correctors and various power converters. \"Wide Bandgap Semiconductor Power Electronic Devices and Their Applications\" introduces the principles, characteristics, design and manufacturing methods and applications of wide bandgap semiconductor power electronic devices such as silicon carbide, gallium nitride and diamond, and summarizes the main achievements of this new field over the past decade.