Wide Bandgap Semiconductor Terminology

This document is drafted in accordance with the provisions of GB/T 1.1-2020 \"Guidelines for Standardization Work Part 1: Structure and Drafting Rules for Standardization Documents\". Please note that some of the contents of this document may involve patents. The issuing organization of this document does not assume the responsibility for identifying these patents. This document is formulated and issued by the Beijing Third Generation Semiconductor Industry Technology Innovation Strategic Alliance Standardization Committee (CASAS). The copyright belongs to CASAS and may not be reproduced without the permission of CASAS; other institutions must obtain permission from CASAS to use the technical content of this document to formulate standards; any unit or individual who quotes the content of this document must indicate the standard number of this document. Drafting units of this document: Peking University Dongguan Optoelectronics Research Institute, Dongguan Zhongjia Semiconductor Technology Co., Ltd., Dongguan Nanfang Semiconductor Technology Co., Ltd., Peking University Wide Bandgap Semiconductor Research Center, Nanjing University, Sun Yat-sen University, Guohong Zhongyu Technology Development Co., Ltd., China Electronics Technology Group Corporation 13th Institute, Dongguan Tianyu Semiconductor Technology Co., Ltd., Guangdong Pioneer Rare Materials Co., Ltd., Xiamen Hualian Electronics Co., Ltd., Beijing Ju Rui Zhongbang Technology Co., Ltd., Dongguan Qingxin Semiconductor Technology Co., Ltd., Beijing Third Generation Semiconductor Industry Technology Innovation Strategic Alliance. The main drafters of this document are: Ding Xiaomin, Zhang Anping, Chen Zhizhong, Chen Peng, Li Shunfeng, Jia Chuanyu, Chen Zimin, Wang Ximing, Ding Xiongjie, Lu Min, Sun Guosheng, Cui Bo, Zheng Zhibin, Zhang Guoyi, Gao Wei, Yu Kunshan.