pdf

Introduction to IGBT Field Effect Semiconductor Power Devices

  • 2014-05-21
  • 17.67MB
  • Points it Requires : 2

This book focuses on the new generation of semiconductor power devices IGBT, and systematically discusses the basic theory and process manufacturing knowledge of field effect semiconductor power devices. The content includes the principle, model, design, manufacturing process and application of the device, with a focus on IGBT. At the same time, other devices such as VDMOS and CoolMOS are also briefly introduced. This book focuses on the basic theory and appropriately absorbs recent research in this field. Relevant references are attached after each chapter, and a symbol table used uniformly throughout the book is also attached at the end of the book. This book can be used as a teaching book for electronic science and technology majors, microelectronics and solid-state electronics majors in colleges and universities, and can also be used as a reference for teachers, researchers, graduate students and undergraduates in the fields of physics and electronic information.

unfold

You Might Like

Uploader
UESTC03
 

Recommended ContentMore

Popular Components

Just Take a LookMore

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

About Us Customer Service Contact Information Datasheet Sitemap LatestNews


Room 1530, 15th Floor, Building B, No.18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing, Postal Code: 100190 China Telephone: 008610 8235 0740

Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved 京ICP证060456号 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号
×