2012-10-15
Silicon PIN Photodiode
Silizium-PIN-Fotodiode
Version 1.0
BP 104 S, BP 104 SR
BP 104 S
BP 104 SR
• Suitable for reflow soldering
• Especially suitable for applications from 400 nm to
1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns)
• Suitable for SMT
Features:
• Geeignet für Reflow Löten
• Besonders geeignet für Anwendungen im Bereich
von 400 nm bis 1100 nm
• Kurze Schaltzeit
• SMT-fähig
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
Photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
•
•
•
•
Anwendungen
Lichtschranken
Industrieelektronik
Messen / Steuern / Regeln
IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Photocurrent
Fotostrom
E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V
I
P
[µA]
BP 104 S
BP 104 SR
55 (≥ 40)
55 (≥ 40)
Q65110A2626
Q65110A4262
Ordering Code
Bestellnummer
2012-10-15
1
Version 1.0
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Total power dissipation
Verlustleistung
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Photocurrent
Fotostrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A, V
R
= 5 V)
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Half angle
Halbwinkel
Dark current
Dunkelstrom
(V
R
= 10 V)
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 850 nm)
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 850 nm)
Symbol
Symbol
I
P
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
P
tot
BP 104 S, BP 104 SR
Values
Werte
-40 ... 100
20
150
Unit
Einheit
°C
V
mW
Values
Werte
55 (≥ 40)
Unit
Einheit
µA
λ
S max
λ
10%
A
LxW
850
400 ... 1100
4.84
2.2 x 2.2
nm
nm
mm
2
mm x
mm
°
nA
ϕ
I
R
± 60
2 (≤ 30)
S
λ
typ
0.62
A/W
η
0.90
Electro
ns
/Photon
2012-10-15
2
Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(E
v
= 1000 lx, Std. Light A)
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(V
R
= 5 V, R
L
= 50
Ω, λ
= 850 nm)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 100 mA, E = 0)
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
Temperature coefficient of V
O
Temperaturkoeffizient von V
O
Temperature coefficient of I
SC
Temperaturkoeffizient von I
SC
(Std. Light A)
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm)
Detection limit
Nachweisgrenze
Symbol
Symbol
V
O
BP 104 S, BP 104 SR
Values
Werte
360 (≥ 280)
Unit
Einheit
mV
I
SC
50
µA
t
r
, t
f
0.02
µs
V
F
1.3
V
C
0
48
pF
TC
V
TC
I
-2.6
0.18
mV / K
%/K
NEP
0.041
pW /
Hz
½
cm x
Hz
½
/ W
D
*
5.4e12
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3
Version 1.0
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
S
rel
= f(λ)
100
S
rel
%
80
OHF00078
BP 104 S, BP 104 SR
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
I
P
(V
R
= 5 V) / V
O
= f(E
V
)
10
3
μ
A
OHF02283
Ι
P
10
4
mV
V
O
10
3
10
2
V
O
60
10
1
40
Ι
P
10
2
10
0
20
10
1
0
400 500 600 700 800 900 nm 1100
λ
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
lx 10
4
E
V
Total Power Dissipation
Verlustleistung
P
tot
= f(T
A
)
160
mW
P
tot
140
120
100
80
60
40
20
0
OHF00958
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
4000
OHF00080
Ι
R
pA
3000
2000
1000
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
0
0
5
10
15
V
V
R
20
2012-10-15
4
Version 1.0
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(V
R
), E = 0
10
2
nA
OHF02284
BP 104 S, BP 104 SR
Capacitance
Kapazität
C = f(V
R
), f = 1 MHz, E = 0
60
C
pF
50
OHF01778
Ι
R
10
1
40
30
10
0
20
10
10
-1
0
2
4
6
8 10 12 14 16 V 20
V
R
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
R
Dark Current
Dunkelstrom
I
R
= f(T
A
), V
R
= 10 V, E = 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
10
2
10
1
10
0
10
-1
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
A
2012-10-15
5
京公网安备 11010802033920号
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