20A Avg.
Item
く り 返 し ピ ー ク 逆 電 圧
Repetitive Peak Reverse Voltage
平
均
整
流
電
流
Average Rectified Forward Current
実
効
順
電
流
R.M.S. Forward Current
サ
ー
ジ
順
電
流
Surge Forward Current
動 ½ 接 合 温 度 範 囲
Operating Junction Temperature Range
保
存
温
度
範
囲
Storage Temperature Range
100 Volts
Symbol
V
RRM
I
O
I
F(RMS)
I
FSM
T
jw
T
stg
180
50Hz、正弦全波通電抵抗負荷
50Hz Full Sine Wave Resistive Load
SBD
Conditions
100
Tc＝120℃
22.2
50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し
50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive
C20T10Q
■OUTLINE DRAWING(mm)
Unit
V
20
A
A
A
℃
℃
■最大定格 Maximum Ratings
−40∼＋150
−40∼＋150
■電気的・熱的特性 Electrical/ Thermal Characteristics
Item
ピ
ー
ク
逆
Peak Reverse Current
ピ
ー
ク
順
Peak Forward Voltage
熱
抵
Thermal Resistance
電
電
流
圧
抗
■APPROX. NET WEIGHT:1.4g
Symbol
I
RM
V
FM
R
th(j-c)
Conditions
T
j
＝25℃, V
RM
＝V
RRM
,
一素子あたり
Per Diode
T
j
＝25℃, I
FM
＝10A,
一素子あたり
Per Diode
接合部½ケース間
Junction to Case
Min.
−
−
−
Typ.
−
−
−
Max.
1
0.88
1.5
Unit
mA
V
℃/W
■定格・特性曲線
FIG.1
0
°
FIG.2
CONDUCTION ANGLE
FIG.3
0
°
CONDUCTION ANGLE
順 電 圧 特 性
FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE
50
C20T10Q/C20T10Q-11A (per Arm)
通流角
20
θ
180
°
平 均 順 電 力 損 失 特 性
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION
C20T10Q/C20T10Q-11A (Total)
RECT 180
°
SINE WAVE
通流角
24
θ
180
°
平 均 順 電 流 − ケ ー ス 温 度 定 格
AVERAGE FORWARD CURRENT VS. CASE TEMPERATURE
V
RM
=100V
RECT 180
°
C20T10Q/C20T10Q-11A (Total)
AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W)
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A)
平
20
Tj=25
°
C
Tj=150
°
C
10
16
20
SINE WAVE
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
瞬
時
順
電
流
（Ａ）
均
順
電
平
12
均
順
16
12
5
力
損
失
8
電
流
8
2
4
（Ａ）
4
（Ｗ）
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
25
50
75
100
125
150
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)
AVERAGE FORWARD CURRENT (A)
CASE TEMPERATURE (
°
C)
瞬 時 順 電 圧 （Ｖ）
平 均 順 電 流 （Ａ）
ケ ー ス 温 度 （℃）
FIG.4
サ ー ジ 順 電 流 定 格
SURGE CURRENT RATINGS
f=50Hz,Sine Wave,Non-Repetitive,No Load
200
C20T10Q/C20T10Q-11A
50
FIG.5
ピーク逆電流 − ピーク逆電圧特性
PEAK REVERSE CURRENT VS. PEAK REVERSE VOLTAGE
Tj= 150
°
C
C20T10Q/C20T10Q-11A (per Arm)
3.5
FIG.6
平 均 逆 電 力 損 失
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION
C20T10Q/C20T10Q-11A (Total)
3.0
RECT 180
°
ピ
½
PEAK REVERSE CURRENT (mA)
SURGE FORWARD CURRENT (A)
½
ジ
順
電
流
（Ａ）
均
20
AVERAGE REVERSE POWER DISSIPATION (W)
サ
160
平
2.5
120
ク
逆
逆
電
力
2.0
SINE WAVE
80
1.5
電
流
10
損
失
（Ｗ）
1.0
40
I FSM
0.02s
0.02s
（½Ａ）
5
0
20
40
60
80
100
120
0.5
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1
2
0
0
20
40
60
80
100
120
TIME (s)
PEAK REVERSE VOLTAGE (V)
REVERSE VOLTAGE (V)
時 間 （½）
ピ ー ク 逆 電 圧 （Ｖ）
逆 電 圧 （Ｖ）
FIG.7
接 合 容 量 特 性
JUNCTION CAPACITANCE VS. REVERSE VOLTAGE
500
Tj=25
°
C,Vm=20mV
RMS
, f=100kHz, Typical Value
C20T10Q/C20T10Q-11A (per Arm)
接
合
容
量
（½Ｆ）
JUNCTION CAPACITANCE (pF)
200
100
50
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
REVERSE VOLTAGE (V)
逆 電 圧 （Ｖ）
514
Microcontroller MCU
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
