MURF2060CT
MURF2060CT
Superfast Efficient Rectifier Diodes
Superschnelle Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
Version 2016-11-28
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High efficient switching stages
Free-wheeling diodes
Commercial grade
1
)
±0.2
I
FAV
= 2x 10 A
V
F125
~ 1.25 V
T
jmax
= 175°C
V
RRM
= 600 V
I
FSM
= 90/100 A
t
rr1
< 25 ns
ITO-220AB
2.6
±0.2
10.1
Ø 3.2
±0.3
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Freilaufdioden
Standardausführung
1
)
Besonderheiten
Isoliertes Gehäuse
Doppeldiode, gemeinsame Kathode
Sehr niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien
1
)
Mechanische Daten
1
)
50
1.8 g
UL 94V-0
260°C/10s
MSL N/A
Verpackt in Stangen
Gewicht ca.
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
±0.2
4.5
±0.2
±0.3
1 2 3
2.6
0.6
±0.2
8.4
Type
Typ
13.6
1.3
0.7
2.54
±0.2
1 2 3
Features
Isolated package
Dual diode, common cathode
Very low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals
1
)
Mechanical Data
1
)
Packed in tubes
Weight approx.
Case material
Solder & assembly conditions
15
±0.3
2.7
RoHS
±0.1
±0.1
Dimensions - Maße [mm]
Maximum ratings
2
)
Type
Typ
MURF2060CT
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
600
EL
V
Pb
3.8
EE
WE
Grenzwerte
2
)
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
600
Average forward current
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Rating for fusing
Grenzlastintegral
f > 15 Hz
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
t < 10 ms
T
C
= 85°C
T
C
= 85°C
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms)
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
i
2
t
10 A
3
)
20 A
4
)
18 A
2
)
90 A
2
)
100 A
2
)
40 A
2
s
Characteristics
Leakage current
Sperrstrom
Junction capacitance – Sperrschichtkapazität
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
V
R
= V
RRM
V
R
= 4 V
I
R
C
j
R
thC
Kennwerte
< 1 µA
< 100 µA
typ. 40 pF
< 6.0 K/W
3
)
1
2
3
4
Please note the
detailed information on our website
or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die
detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite
bzw. am Anfang des Datenbuches
T
A
= 25°C unless otherwise specified – T
A
= 25°C wenn nicht anders angegeben
Per diode − Pro Diode
Per device (parallel operation) − Pro Bauteil (Parallelbetrieb)
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
MURF2060CT
Characteristics
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
t
rr
[ns]
1
)
MURF2060CT
< 25
t
rr
[ns]
2
)
< 50
@ T
j
25°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
V
F
[V]
typ. 1.25
< 2.0
@ I
F
[A]
10
10
@ T
j
150°C
25°C
Kennwerte
120
[%]
100
100
[A]
10
80
T
j
= 150°C
60
1
T
j
= 25°C
40
10
-1
20
I
FAV
0
0
T
C
50
100
150
[°C]
I
F
10
-2
V
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
10
2
[µA]
10
1
T
j
= 125°C
1
T
j
= 100°C
10
-1
I
R
10
-2
0
T
j
= 25°C
V
RRM
40
60
80
100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
Disclaimer:
See data book page 2 or
website
Haftungssauschluss:
Siehe Datenbuch Seite 2 oder
Internet
1
2
I
F
= 0.5 A through/über I
R
= 1 A to/auf I
R
= 0.25 A
I
F
= 1.0 A, di/dt = -50 A/µs, V
R
= 30 V
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
2
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