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T379N38TOF

Description
Silicon Controlled Rectifier, 422000mA I(T), 3800V V(DRM)
CategoryAnalog mixed-signal IC    Trigger device   
File Size416KB,31 Pages
ManufacturerInfineon
Websitehttp://www.infineon.com/
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T379N38TOF Overview

Silicon Controlled Rectifier, 422000mA I(T), 3800V V(DRM)

T379N38TOF Parametric

Parameter NameAttribute value
MakerInfineon
Reach Compliance Codecompliant
Nominal circuit commutation break time500 µs
Critical rise rate of minimum off-state voltage1000 V/us
Maximum DC gate trigger current250 mA
Maximum DC gate trigger voltage2.2 V
Maximum holding current500 mA
Maximum leakage current100 mA
On-state non-repetitive peak current6800 A
Maximum on-state voltage3.26 V
Maximum on-state current422000 A
Maximum operating temperature125 °C
Minimum operating temperature-40 °C
Off-state repetitive peak voltage3800 V
Trigger device typeSCR

T379N38TOF Preview

N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 379 N 36...42
Elektrische
T
Eigenschaften
= -40°C... T
vj
vj max
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T
vj
= -40°C... T
vj max
Kenndaten
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
C
= 85 °C
T
C
= 71 °C
V
DRM
,V
RRM
3600
4000
V
DSM
V
RSM
I
TRMSM
I
TAVM
I
TSM
I²t
(di
T
/dt)
cr
(dv
D
/dt)
cr
3600
4000
3700
4100
3800 V
4200 V
3800 V
4200 V
3900 V
4300 V
800 A
422 A
509 A
6800 A
6400 A
231 10³ A²s
205 10³ A²s
100 A/µs
T
vj
= +25°C... T
vj max
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter F
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
on-state characteristic
v
T
=
A
+
B
i
T
+
C
Ln ( i
T
+
1)
+
D
i
T
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1200 A
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 400 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
T
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
I
GT
V
GT
I
GD
V
GD
I
H
max.
max.
3,26 V
1,92 V
1,2 V
1,6 mΩ
1,606E+00
1,080E-03
-1,941E-01
5,243E-02
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
250 mA
2,2 V
10 mA
5 mA
0,25 V
500 mA
3000 mA
100 mA
4,5 µs
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
T
vj
= 25°C, v
D
= 6 V, R
GK
10
I
L
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs, t
g
= 20 µs
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 °C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/µs
i
D
, i
R
t
gd
prepared by: K.-A. Rüther
approved by: J. Novotny
date of publication:
revision:
1
BIP AC / 01-05-17, K.-A. Rüther
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A 08/01
Seite/page
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 379 N 36...42
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/µs, -di
T
/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
typ.
500
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,0320
0,0300
0,0537
0,0511
0,0816
0,0732
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
T
vj max
T
c op
T
stg
0,005 °C/W
0,010 °C/W
125 °C
-40...+125 °C
-40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
DIN 40040
f = 50 Hz
F
G
typ.
Seite 3
page 3
10,5..21
310
kN
g
28 mm
C
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
BIP AC / 01-05-17, K.-A. Rüther
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 379 N 36...42
Maßbild
BIP AC / 01-05-17, K.-A. Rüther
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 379 N 36...42
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
beidseitig
two-sided
R
thn
[°C/W]
1
0,000183
2
0,00166
3
0,00195
0,00937
0,00331
0,0544
0,0137
0,0232
4
0,00968
0,119
0,0138
0,183
0,02665
0,138
5
0,0168
0,939
0,02965
1,14
0,0249
0,9
6
7
0,000134 0,001636
R,t – Werte
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitg
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
0,000455 0,003885
0,000251
0,00243
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
0,000708 0,007242
0,00032
0,00387
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
n
max
n=1
Σ
R
thn
1
e
τ
n
-t
Kühler
heatsink
K 0.05 F
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
natürliche
Luftkühlung
natural
air-cooling
P
AV
= 300 W
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,01
1,56
2
0,0075
3
3
0,0335
11,8
4
0,219
1098
5
6
7
τ
n
[s]
Kühler
heatsink
K 0.05 F
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
verstärkte
Luftkühlung
forced
air-cooling
v
L
= 120 l/s
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,01
1,56
2
0,0067
3,12
3
0,0325
10,4
4
0,0288
159
5
6
7
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thCA
=
n
max
n=1
Σ
R
thn
1
e
τ
n
-t
BIP AC / 01-05-17, K.-A. Rüther
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N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 379 N 36...42
Durchlasskennlinie
Diagramme
3.000
2.500
2.000
1.500
1.000
500
0
1
2
3
4
5
6
7
v
T
[V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
BIP AC / 01-05-17, K.-A. Rüther
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T379N38TOF Related Products

T379N38TOF T379N40TOF T379N42TOF
Description Silicon Controlled Rectifier, 422000mA I(T), 3800V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1 Element Silicon Controlled Rectifier, 800A I(T)RMS, 422000mA I(T), 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element
Maker Infineon Infineon Infineon
Reach Compliance Code compliant compliant not_compliant
Nominal circuit commutation break time 500 µs 500 µs 500 µs
Critical rise rate of minimum off-state voltage 1000 V/us 1000 V/us 1000 V/us
Maximum DC gate trigger current 250 mA 250 mA 250 mA
Maximum DC gate trigger voltage 2.2 V 2.2 V 2.2 V
Maximum holding current 500 mA 500 mA 500 mA
Maximum leakage current 100 mA 100 mA 100 mA
On-state non-repetitive peak current 6800 A 6800 A 6800 A
Maximum on-state current 422000 A 422000 A 422000 A
Maximum operating temperature 125 °C 125 °C 125 °C
Minimum operating temperature -40 °C -40 °C -40 °C
Off-state repetitive peak voltage 3800 V 4000 V 4200 V
Trigger device type SCR SCR SCR
Maximum on-state voltage 3.26 V 3.26 V -

Technical ResourceMore

EEWorld
subscription
account

EEWorld
service
account

Automotive
development
circle

Datasheet   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z
Room 1530, 15th Floor, Building B, No. 18 Zhongguancun Street, Haidian District, Beijing Telephone: (010) 82350740 Postal Code: 100190
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