2012-10-11
High Power Infrared Emitter (850 nm)
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
Version 1.0
SFH 4059
Features:
• High optical power
• Very small package: (LxWxH) 3.2 mm x 1.6 mm x
1.85 mm
• Sehr hohe Gesamtleistung
• Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 3.2 mm x 1.6 mm x
1.85 mm
Besondere Merkmale:
Applications
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Industrial electronics
For control and drive circuits
Mobile devices
•
•
•
•
Anwendungen
Miniaturlichtschranken
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln”
Mobile Geräte
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
ATTENTION -Observe Precautions For Handling
-Electrostatic Sensitive Device
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
ATTENTION -Observe Precautions For Handling
-Electrostatic Sensitive Device
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1
Version 1.0
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Irradiance
Bestrahlungsstärke
I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms
E
e
[mW/cm ]
SFH 4059-QS
Note:
2
SFH 4059
Radiant intensity
Strahlstärke
I
F
=70 mA, t
p
= 20 ms
I
e, typ
[mW/sr]
100
Ordering Code
Bestellnummer
15 (≥ 6.3)
Q65111A2991
I
e
measured with a detector (10mm diameter) in 100 mm distance (Ω = 0.01 sr) to the device surface
E
e
measured in the near field with a detector (7.2 mm diameter) in 20 mm distance (Ω = 0.1 sr) to the device
surface
Anm.:
I
e
gemessen mit einem Detektor (10 mm Durchmesser) in einem Abstand von 100mm (Ω = 0.01 sr) zur
Bauteiloberfläche
E
e
gemessen im Nahfeld mit einem Detektor (7.2 mm Durchmesser) in einem Abstand von 20 mm (Ω = 0.1
sr) zur Bauteiloberfläche
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
≤
300
μs,
D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
1)
page 13
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
1)
Seite 13
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 85
5
70
0.7
Unit
Einheit
°C
V
mA
A
P
tot
R
thJA
140
540
mW
K/W
2)
page 13
Thermal resistance junction - soldering point
R
thJS
360
K/W
Wämewiderstand Sperrschicht - Lötstelle
2)
Seite 13
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2
Version 1.0
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Centroid Wavelength
Schwerpunktwellenlänge der Strahlung
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 70 mA, R
L
= 50
Ω)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 500 mA, t
p
= 100
μs)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
=70 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of I
e
or
Φ
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
Φ
e
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Symbol
Symbol
λ
peak
Values
Werte
860
SFH 4059
Unit
Einheit
nm
λ
centroid
850
nm
Δλ
30
nm
ϕ
A
LxW
t
r
, t
f
± 10
0.04
0.2 x 0.2
12
°
mm
2
mm x
mm
ns
V
F
1.6 (≤ 2)
V
V
F
2.4
V
I
R
not designed for µA
reverse operation
40
mW
Φ
e
TC
I
-0.5
%/K
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3
Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms)
Radiant intensity
Strahlstärke
(I
F
=70 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Parameter
Bezeichnung
Min Irradiance
Min Bestrahlungsstärke
I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms
E
e, min
[mW/cm²]
SFH 4059 -Q
SFH 4059 -R
SFH 4059 -S
Note:
SFH 4059
Symbol
Symbol
TC
V
Values
Werte
-0.7
Unit
Einheit
mV / K
TC
λ
0.3
nm / K
I
e, typ
100
mW/sr
Max Irradiance
Max Bestrahlungsstärke
I
F
= 70 mA, t
p
= 20 ms
E
e, max
[mW/cm²]
12.5
20
32
6.3
10
16
E
e
measured in the near field with a detector (7.2 mm diameter) in 20 mm distance (Ω = 0.1 sr) to the device
surface
Only one group in one packing unit (variation lower 2:1).
E
e
gemessen im Nahfeld mit einem Detektor (7.2 mm Durchmesser) in einem Abstand von 20 mm (Ω = 0.1
sr) zur Bauteiloberfläche
Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1).
Anm:
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Version 1.0
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
I
rel
= f(λ), T
A
= 25°C
100
OHF04135
SFH 4059
Irradiance
Bestrahlungsstärke
E
e
/E
e
(70mA) = f (I
F
), Single pulse, t
p
= 25
μs,
T
A
= 25°C
10
1
OHF05563
I
rel
%
80
E
e
E
e
(70 mA)
10
0
60
5
10
-1
40
5
20
10
-2
5
0
700
750
800
850
nm 950
λ
10
-3 0
10
5 10
1
5 10
2
mA
10
3
I
F
2012-10-11
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
