Engwinklige LED im MIDLED-Gehäuse
Narrow beam LED in MIDLED package
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4600
SFH 4605
SFH 4600
SFH 4605
Nicht für Neuentwicklungen / Not for new designs
Wesentliche Merkmale
• Leistungsstarke GaAs-LED (35 mW) mit
typischer Emissionswellenlänge 950 nm
• Enger Abstrahlwinkel (± 20°)
• Geringe Bauhöhe
• Als Toplooker und Sidelooker einsetzbar
• SFH 4600: Gurtung als Toplooker
SFH 4605: Gurtung als Sidelooker
Anwendungen
• Lichtschranken, Lichtvorhänge
• Sensorik
• IR Scheinwerfer
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
SFH 4600
SFH 4605
1)
Features
• High Power GaAs-LED (35 mW) with typical
peak wavelength of 950 nm
• Narrow halfangle (± 20°)
• Low profile component
• Usable as top-looking and side-looking device
• SFH 4600: Taping as Toplooker
SFH 4605: Taping as Sidelooker
Applications
• Interrupters, Lightcurtains
• Sensors
• IR floodlight
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Bestellnummer
Ordering Code
Q65110A1575
Q65110A1576
Strahlstärkegruppierung
1)
(
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms)
Radiant Intensity Grouping
1)
I
e
(mW/sr)
≥
16 (typ. 30)
≥
16 (typ. 30)
gemessen bei einem Raumwinkel
Ω
= 0.01 sr / measured at a solid angle of
Ω
= 0.01 sr
1
2008-01-14
SFH 4600, SFH 4605
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Vorwärtsgleichstrom,
T
A
≤
60
°C
Forward current
Stoßstrom,
t
p
=
300
µs,
D
= 0,
T
A
≤
60
°C
Surge current
Verlustleistung
T
A
=
25
°C
Power dissipation
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 100
5
100
1
180
340
Einheit
Unit
°C
V
mA
A
mW
K/W
T
op
, T
stg
V
R
I
F
I
FSM
P
tot
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei
R
thJA
Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm
2
Thermal resistance junction - ambient mounted
on PC-board (FR4), padsize 16 mm
2
each
Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei
R
thJS
Montage auf Metall-Block
Thermal resistance junction - soldering point,
mounted on metal block
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA
Spektrale Bandbreite bei 50% von
I
max
Spectral bandwidth at 50% of
I
max
I
F
= 100 mA
Symbol
Symbol
λ
peak
180
K/W
Wert
Value
950
Einheit
Unit
nm
∆λ
40
nm
2008-01-14
2
SFH 4600, SFH 4605
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Abstrahlwinkel
Half angle
Aktive Chipfläche
Active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
Schaltzeiten,
I
e
von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Switching times,
Ι
e
from 10% to 90% and from
90% to 10%,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Ω
Durchlassspannung
Forward voltage
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100 µs
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Symbol
Symbol
ϕ
Wert
Value
±
20
0.09
0.3
×
0.3
10
Einheit
Unit
Grad
deg.
mm
2
mm²
ns
A
L
×
B
L
×
W
t
r
,
t
f
V
F
V
F
I
R
1.5 (< 1.8)
3.2 (< 4.3)
V
V
not designed for
µA
reverse
operation
35
mW
Φ
e typ
Temperaturkoeffizient von
I
e
bzw.
Φ
e
,
TC
I
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
V
F
,
I
F
= 100 mA
Temperaturkoeffizient von
λ,
I
F
= 100 mA
Temperature coefficient of
λ,
I
F
= 100 mA
– 0.44
%/K
TC
V
TC
λ
– 1.5
+ 0.2
mV/K
nm/K
2008-01-14
3
京公网安备 11010802033920号
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