Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT
Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT
BP 104 F
BP 104 FS
BP 104 F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
•
•
•
•
Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
BP 104 FS: geeignet für Vapor-Phase Löten
und IR-Reflow Löten
Features
•
•
•
•
Especially suitable for applications of 950 nm
Short switching time (typ. 20 ns)
DIL plastic package with high packing density
BP 104 FS: suitable for vapor-phase and
IR-reflow soldering
Anwendungen
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern, Gerätefernsteuerungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Typ
Type
BP 104 F
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P84
Gehäuse
Package
Applications
• IR remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, dimmers, remote controls of
various equipment
• Photointerrupters
DIL-Gehäuse, schwarzes Epoxy-Gießharz,
Kathodenkennzeichnung: Fähnchen am Anschluß
DIL package, black epoxy resin
Cathode marking: flag on lead
DIL/SMT-Gehäuse, schwarzes Epoxy-Gießharz,
Kathodenkennzeichnung: Langer, breiter Anschluß
DIL/SMT package, black epoxy resin
Cathode marking: long broad lead
BP 104 FS
Q62702-P1646
2001-02-21
1
BP 104 F, BP 104 FS
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom
Photocurrent
V
R
= 5 V,
E
e
= 1 mW/cm
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Dunkelstrom,
V
R
= 10 V
Dark current
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
Quantenausbeute
Quantum yield
Symbol
Symbol
Wert
Value
34 (≥ 25)
Einheit
Unit
µA
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40 … + 100
20
150
Einheit
Unit
°C
V
mW
T
op
;
T
stg
V
R
P
tot
I
P
λ
S max
λ
950
800 … 1100
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
4.84
2.20
×
2.20
mm
2
mm
×
mm
0.5
0.3 (BP 104 FS)
±
60
2 (≤ 30)
0.70
0.90
mm
Grad
deg.
nA
A/W
Electrons
Photon
I
R
S
λ
η
2001-02-21
2
BP 104 F, BP 104 FS
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C,
λ
= 950 nm)
Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Leerlaufspannung,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Open-circuit voltage
Kurzschlußstrom,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 5 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µA
Durchlaßspannung,
I
F
= 100 mA,
E
= 0
Forward voltage
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
Temperaturkoeffizient von
V
O
Temperature coefficient of
V
O
Temperaturkoeffizient von
I
SC
Temperature coefficient of
I
SC
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze,
V
R
= 10 V
Detection limit
Symbol
Symbol
Wert
Value
330 (≥ 250)
17
20
Einheit
Unit
mV
µA
ns
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
48
– 2.6
0.18
3.6
×
10
–14
V
pF
mV/K
%/K
W
-----------
-
Hz
cm
×
Hz
-------------------------
-
W
D*
6.1
×
10
12
2001-02-21
3
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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