N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
T
vj
= -40°C... T
vj max
V
RRM
400
600
800
721
V
V
V
A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
Kenndaten
repetitive peak reverse voltages
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie
100 A
≤
i
F
≤
3000 A
on-state characteristic
Elektrische Eigenschaften
I
FRMSM
T
C
= 100 °C
T
C
= 55 °C,
θ
= 180°sin, t
P
= 10 ms
I
FAVM
I
FAVM
I
FRMS
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
t
P
= 10 ms
T
vj
= 25 °C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
FSM
I²t
650 A
860 A
1360 A
6300 A
5100 A
198,5 10³A²s
130 10³A²s
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1350 A
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 450 A
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
T
vj
= T
vj max
v
F
V
(TO)
r
T
A=
B=
C=
D=
i
R
max.
max.
1,44 V
0,95 V
0,7 V
0,51 mΩ
v
F
=
A
+
B
⋅
i
F
+
C
⋅
ln ( i
F
+
1 )
+
D
⋅
Sperrstrom
reverse current
i
F
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
5,400E-01
1,988E-04
-1,660E-02
2,007E-02
max.
20 mA
Thermische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
R
thJC
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,081
0,074
0,132
0,125
0,203
0,196
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
R
thCH
0,015 °C/W
0,030 °C/W
180 °C
T
vj max
T
c op
T
stg
-40...+180 °C
-40...+180 °C
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication:
revision:
2010-01-19
3.1
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
A 08/10
Seite/page
1/8
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Mechanische Eigenschaften
F
G
typ.
Seite 3
page 3
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
2,6...4,6 kN
75 g
10 mm
f = 50 Hz
50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
A 08/10
Seite/page
2/8
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Maßbild
Maßbild
1
2
1:
Anode/
Anode
2:
Kathode/
Cathode
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
A 08/10
Seite/page
3/8
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Transienter Wärmewiderstand
Kühlung /
Cooling
beidseitig
two-sided
Pos. n
R
thn
[°C/W]
1
0,000140
0,000133
0,000140
0,000133
0,000140
0,000133
2
0,00279
0,00156
0,00279
0,00156
0,00279
0,00156
3
0,00947
0,01010
0,00947
0,01010
0,00947
0,01010
4
0,0245
0,0726
0,0245
0,0756
0,0245
0,0756
5
0,0371
0,2950
0,0231
0,2250
0,0231
0,3250
n
max
n=1
6
-
-
0,065
2,130
0,136
3,130
-t
7
-
-
-
-
-
-
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
τ
n
[s]
Analytische Funktion / Analytical function:
Z
thJC
=
Σ
R
thn
1
−
e
τ
n
0,25
c
0,20
a
[°C/W]
thJC
0,15
Z
0,10
b
0,05
0,00
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
100
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z
thJC
= f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
A 08/10
Seite/page
4/8
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D650N
Erhöhung des Z
th DC
bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel
Θ
Rise of
Diagramme
Z
th DC
for sinewave and rectangular current for different current conduction angles
Θ
∆Z
th
Θ
rec
/
∆Z
th
Θ
sin
Diagramme
Kühlung / Cooling
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
∆Z
th
Θ
rec
[°C/W]
∆Z
th
Θ
sin
[°C/W]
Θ
= 180°
0,00957
0,00696
0,00448
0,00334
0,00448
0,00334
Θ
= 120°
0,01531
0,00965
0,00759
0,00489
0,00759
0,00489
Θ
= 90°
0,01956
0,01316
0,00985
0,00693
0,00985
0,00693
Θ
= 60°
0,02570
0,01890
0,01292
0,01005
0,01292
0,01005
Θ
= 30°
0,03570
0,02956
0,01725
0,01518
0,01725
0,01518
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
Z
th
Θ
rec
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
rec
Z
th
Θ
sin
= Z
th DC
+
∆Z
th
Θ
sin
3.000
Durchlasskennlinie
2.000
i
F
[A]
1.000
T
vj
= T
vj max
0
0,6
0,8
1
1,2
1,4
V
F
[V]
1,6
1,8
2
2,2
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i
F
= f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
IFBIP D AEC / 2010-01-19, H.Sandmann
A 08/10
Seite/page
5/8
Analog electronics
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
