汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
对应½外型号
MPS2222A
H 2222A
█ 主要用途
½音频功率放大，激励级放大、开关应用
█ 外½图及引脚排列
TO-92
█ 极限值
（T
a
=25℃）
T
stg
——贮存温度…………………………………
-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150
℃
P
C
——集电极耗散功率………………………………625mW
V
CBO
——集电极—基极电压………………………………75V
V
CEO
——集电极—发射极电压……………………………40V
V
E B O
——发射极—基极电压………………………………6V
I
C
——集电极电流………………………………………600mA
1―发射极，E
2―基
极，B
3―集电极，C
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
符
号
说
明
最小值
典型值
最大值
单 ½
测
试
条
件
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
H
FE
V
CE(sat）
f
T
Cob
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和电压
特征频率
共基极输出电容
75
40
6
10
10
400
0.3
8
V
V
V
nA
nA
100
300
V
MHz V
CE
=20V, I
C
=20mA
pF
V
CB
=10V,I
E
=0
f=1MHz
I
C
=10μA，I
E
=0
I
C
=10mA，I
B
=0
I
E
=10μA，I
C
=0
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=3V, I
C
=0
V
CE
=10V, I
C
=150mA
I
C
=150mA, I
B
=15mA
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
