DATA SHEET
MOS INTEGRATED CIRCUIT
MC-4516DA727
16M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE
REGISTERED TYPE
Description
The MC-4516DA727 is a 16,777,216 words by 72 bits synchronous dynamic RAM module on which 9 pieces of
128M SDRAM:
µ
PD45128841 are assembled.
These modules provide high density and large quantities of memory in a small space without utilizing the surface-
mounting technology on the printed circuit board.
Decoupling capacitors are mounted on power supply line for noise reduction.
Features
•
16,777,216 words by 72 bits organization (ECC type)
•
Clock frequency and access time from CLK.
Part number
/CAS latency
Clock frequency
(MAX.)
MC-4516DA727EFA-A75
CL = 3
CL = 2
MC-4516DA727PFA-A75
CL = 3
CL = 2
133 MHz
100 MHz
133 MHz
100 MHz
Access time from CLK
(MAX.)
5.4 ns
6.0 ns
5.4 ns
6.0 ns
5
5
•
Fully Synchronous Dynamic RAM, with all signals referenced to a positive clock edge
•
Pulsed interface
•
Possible to assert random column address in every cycle
•
Quad internal banks controlled by BA0 and BA1 (Bank Select)
•
Programmable burst-length
5
(1, 2, 4, 8 and Full Page)
•
Programmable wrap sequence (Sequential / Interleave)
•
Programmable /CAS latency (2, 3)
•
Automatic precharge and controlled precharge
•
CBR (Auto) refresh and self refresh
•
All DQs have 10
Ω ±10
% of series resistor
•
Single 3.3 V
±0.3
V power supply
•
LVTTL compatible
•
4,096 refresh cycles/64 ms
•
Burst termination by Burst Stop command and Precharge command
•
168-pin dual in-line memory module (Pin pitch = 1.27 mm)
•
Registered type
•
Serial PD
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Document No. M14082EJ4V0DS00 (4th edition)
Date Published February 2000 NS CP(K)
Printed in Japan
The mark
5
shows major revised points.
©
1999
MC-4516DA727
Ordering Information
Part number
MC-4516DA727EFA-A75
Clock frequency
MHz (MAX.)
133 MHz
Package
168-pin Dual In-line Memory Module
(Socket Type)
Edge connector: Gold plated
38.1 mm height
Mounted devices
9 pieces of
µ
PD45128841G5 (Rev. E)
(10.16mm (400) TSOP (II))
9 pieces of
µ
PD45128841G5 (Rev. P)
(10.16mm (400) TSOP (II))
5
MC-4516DA727PFA-A75
2
Data Sheet M14082EJ4V0DS00
MC-4516DA727
Pin Configuration
168-pin Dual In-line Memory Module Socket Type (Edge connector: Gold plated)
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
Vcc
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
Vcc
DQ46
DQ47
CB4
CB5
V
SS
NC
NC
Vcc
/CAS
DQMB4
DQMB5
NC
/RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0 (A13)
A11
Vcc
CLK1
NC
V
SS
CKE0
NC
DQMB6
DQMB7
NC
Vcc
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
Vcc
DQ52
NC
NC
REGE
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
Vcc
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
Vcc
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
Vcc
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
Vcc
DQ14
DQ15
CB0
CB1
V
SS
NC
NC
Vcc
/WE
DQMB0
DQMB1
/CS0
NC
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1(A12)
Vcc
Vcc
CLK0
V
SS
NC
/CS2
DQMB2
DQMB3
NC
Vcc
NC
NC
CB2
CB3
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
Vcc
DQ20
NC
NC
NC
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
Vcc
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
/xxx indicates active low signal.
A0 - A11
: Address Inputs
[Row: A0 - A11, Column: A0 - A9]
BA0 (A13), BA1 (A12) : SDRAM Bank Select
DQ0-DQ63, CB0-CB7: Data Inputs/Outputs
CLK0 - CLK3
CKE0
WP
/CS0, /CS2
/RAS
/CAS
/WE
DQMB0 - DQMB7
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
CC
V
SS
REGE
NC
: Clock Input
: Clock Enable Input
: Write Protect
: Chip Select Input
: Row Address Strobe
: Column Address Strobe
: Write Enable
: DQ Mask Enable
: Address Input for EEPROM
: Serial Data I/O for PD
: Clock Input for PD
: Power Supply
: Ground
: Register / Buffer Enable
: No Connection
Data Sheet M14082EJ4V0DS00
3
MC-4516DA727
Block Diagram
/RCS0
RDQMB0
RDQMB4
30 pF
10
Ω
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQ 7
DQM
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D0
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS
30 pF
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
RDQMB5
10
Ω
DQ 0
DQM
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D5
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CS
RDQMB1
15 pF
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
10
Ω
30 pF
DQ 7
DQM
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D1
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS
10
Ω
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
/CS
DQ 0
DQM
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D6
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
V
CC
C
V
SS
D0 - D8,
Register1, Register2, PLL
D0 - D8,
Register1, Register2, PLL
15 pF
CB 0
CB 1
CB 2
CB 3
CB 4
CB 5
CB 6
CB 7
/RCS2
RDQMB2
10
Ω
DQ 2
DQM
DQ 0
DQ 7
DQ 5
D2
DQ 3
DQ 1
DQ 6
DQ 4
/CS
SERIAL PD
SCL
A0
A1
A2
SDA
WP
47 kΩ
SA0 SA1 SA2
RDQMB6
30 pF
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
10
Ω
30 pF
DQ 7
DQM
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D3
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS
10
Ω
DQ 48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
10
Ω
/CS
DQ 0
DQM
DQ 1
DQ 2
DQ 3
D7
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
CLK1 - CLK3
12 pF
10
Ω
CLK0
CLK : D0,D1,D5
CLK : D2,D3,D6
PLL
5
RDQMB3
RDQMB7
30 pF
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
10
Ω
30 pF
DQ 7
DQM
DQ 6
DQ 5
DQ 4
D4
DQ 3
DQ 2
DQ 1
DQ 0
/CS
10
Ω
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQ 0
DQM
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
/CS
CLK : D4,D7,D8
CLK : Register 1,
Register 2
D8
A0 - A9
/RAS
/CAS
/WE
DQMB0, 1, 4, 5
/CS0
REGE
/LE
Register1
RA0 - RA9
/RRAS
/RCAS
/RWE
RDQMB0, 1, 4, 5
/RCS0
A0 - A9 : D0 - D8
/RAS : D0 - D8
/CAS : D0 - D8
/WE : D0 - D8
A10, A11, BA0, BA1
CKE0
DQMB2, 3, 6, 7
/CS2
Register2
RA10, RA11,
RBA0, RBA1
RCKE0
RDQMB2, 3, 6, 7
/RCS2
A10, A11,
BA0, BA1 : D0 - D8
CKE : D0 - D8
15 pF
15 pF
/LE
V
CC
10 kΩ
5
Remarks 1.
The value of all resistors of DQs is 10
Ω.
2.
D0 - D8:
µ
PD45128841 (4M words
×
8 bits
×
4 banks)
3.
REGE
≤
V
IL
: Buffer mode
REGE
≥
V
IH
: Register mode
4.
Register: HD74ALVCF162834
PLL: HD74CDCF2510B, IDTCSP2510C
4
Data Sheet M14082EJ4V0DS00
MC-4516DA727
Electrical Specifications
•
All voltages are referenced to V
SS
(GND).
•
After power up, wait more than 1 ms and then, execute power on sequence and CBR (Auto) refresh before proper
device operation is achieved.
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Voltage on power supply pin relative to GND
Voltage on input pin relative to GND
Short circuit output current
Power dissipation
Operating ambient temperature
Storage temperature
Symbol
V
CC
V
T
I
O
P
D
T
A
T
stg
Condition
Rating
–0.5 to +4.6
–0.5 to +4.6
50
10
0 to +70
–55 to +125
Unit
V
V
mA
W
°C
°C
Caution
Exposing the device to stress above those listed in Absolute Maximum Ratings could cause
permanent damage. The device is not meant to be operated under conditions outside the limits
described in the operational section of this specification. Exposure to Absolute Maximum Rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
Recommended Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
High level input voltage
Low level input voltage
Operating ambient temperature
Symbol
V
CC
V
IH
V
IL
T
A
Condition
MIN.
3.0
2.0
–0.3
0
TYP.
3.3
MAX.
3.6
V
CC
+ 0.3
+ 0.8
70
Unit
V
V
V
°C
Capacitance (T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz)
Parameter
Input capacitance
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
Data input/output capacitance
C
I/O
Test condition
A0 - A11, BA0 (A13), BA1 (A12), /RAS,
/CAS, /WE
CLK0
CKE0
/CS0, /CS2
DQMB0 - DQMB7
DQ0 - DQ63, CB0 - CB7
MIN.
4
15
4
4
4
6
TYP.
MAX.
10
25
10
10
10
13
pF
Unit
pF
Data Sheet M14082EJ4V0DS00
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
