BLUE LINE
TM
Hyper TOPLED
®
Hyper-Bright LED
Besondere Merkmale
•
•
•
•
•
•
•
•
Gehäusebauform: P-LCC-2
Gehäusefarbe: weiß
als optischer Indikator einsetzbar
zur Hintergrundbeleuchtung, Lichtleiter- und
Linseneinkopplung
für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
gegurtet (8 mm-Filmgurt)
ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3051.7
JEDEC Level 2
LB T676
Features
•
•
•
•
•
•
•
P-LCC-2 package
color of package: white
for use as optical indicator
for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
suitable for all SMT assembly and soldering methods
available taped on reel (8 mm tape)
ESD withstand voltage of 2 kV according to
MIL STD 883D, Method 3051.7
• JEDEC Level 2
Typ
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaustritts-
fläche
Color of the
Light Emitting
Area
colorless clear
4.0
5.0
6.3
8.0
10.0
...
...
...
...
...
6.3
8.0
10.0
12.5
16.0
15 (typ.)
20 (typ.)
25 (typ.)
30 (typ.)
40 (typ.)
Lichtstärke
Lichtstrom
Bestellnummer
Type
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
Luminous
Flux
I
F
= 10 mA
Φ
V
(mlm)
Ordering Code
LB T676
LB T676-J1
LB T676-J2
LB T676-K1
LB T676-K2
LB T676-L1
blue
Q62703-Q3786
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
1.6.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
1.6.
Helligkeitswerte werden bei einer Strompulsdauer von 25 ms spezifiziert.
Luminous intensity is specified at a current pulse duration of 25 ms.
Semiconductor Group
1
1998-09-18
VPL06724
LB T676
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 °C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-board*
)
(Padgröße
≥
16 mm
2
)
mounted on PC board*
)
(pad size
≥
16 mm
2
)
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 40 ... + 100
– 40 ... + 100
+ 100
20
5
100
Einheit
Unit
°C
°C
°C
mA
V
mW
T
op
T
stg
T
j
I
F
V
R
P
tot
R
th JA
500
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
*
)
PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LB T676
Kennwerte
(
T
A
= 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
I
F
= 10 mA
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 5 V
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(
I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
(
I
F
= 10 mA)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
(I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
λ
peak
(I
F
= 10 mA)
Temperaturkoeffizient von
V
F
(I
F
= 10 mA)
Temperature coefficient of
V
F
(I
F
= 10 mA)
Symbol
Symbol
typ.
Werte
Values
max.
–
nm
428
Einheit
Unit
λ
peak
λ
dom
466
–
nm
∆
λ
60
–
nm
2ϕ
120
3.5
–
4.2
Grad
deg.
V
V
F
I
R
0.01
10
µA
TC
λ
TC
λ
TC
V
0.03
0.004
– 3.1
–
–
–
nm/K
nm/K
mV/K
Semiconductor Group
3
1998-09-18
LB T676
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(λ),
T
A
=
25 °C,
I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
Ι
rel
%
80
blue
OHL00431
V
λ
60
40
20
0
350
400
450
500
550
600
650
nm 700
λ
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
40˚
30˚
20˚
10˚
0˚
OHL01660
ϕ
1.0
50˚
0.8
0.6
60˚
0.4
70˚
0.2
80˚
90˚
100˚
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
0
Semiconductor Group
4
1998-09-18
LB T676
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 °C
10
2
OHL00432
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 °C
Ι
V
10
1
OHL00433
Ι
F
5
Ι
V (10 mA)
10
0
10
1
5
5
10
-1
5
10
0
5
10
-2
5
10
-1
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0
V 6.0
10
-3 -1
10
5 10
0
5 10
1
V
F
Ι
F
mA 10
2
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
30
OHL00448
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(25 °C)
=
f
(
T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Ι
V
1.2
OHL00442
Ι
F
mA
25
Ι
V (25 ˚C)
1.0
20
0.8
15
0.6
10
0.4
5
0.2
0
0
20
40
60
80 C 100
T
A
0
-20
0
20
40
60
C
T
A
100
Semiconductor Group
5
1998-09-18
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
