Bridge Diode
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
S1NBB80
800V 1A
特長
• 小型 D
I
P パッケージ
• 端子間 3.4mm
■外観図 OUTLINE
Package：1NA
6.8
④
品名略号
Type No.
①
④−
①＋
Unit : mm
Weight : 0.29g typ.）
（
級表示
（例）
Class
ロッ
ト記号
（例）
Date code
S1NBB
8000
③
②
10
③∼
②∼
Feature
• Small-DIP
• Pin-distance 3.4mm for isolation
2.6
Package：1NA
6.8
④
品名略号
Type No.
①
Unit : mm
Weight : 0.29g typ.）
（
④−
①＋
級表示
（例）
Class
ロッ
ト記号
（例）
Date code
SINBB
8000
③
②
6.5
③∼
②∼
2.5
4.4
外½図については新電元 Web サイト又は〈半導½½品一覧表〉をご参照
下さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
■定格表 RATINGS
●絶対最大定格
Absolute Maximum Ratings（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
項 目
Item
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
電流二乗時間積
Current Squared Time
）
単½
Unit
℃
℃
V
A
A
A
2
s
記号
条 件
Symbol Conditions
T
stg
T
j
V
RM
I
O
I
FSM
I
2
t
50Hz 正弦波，抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
Ta＝26℃ *
1
Ta＝25℃ *
2
品 名
Type No.
S1NBB80
−40∼150
150
800
1
0.84
50
6
50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
１素子½たりの規格値
1ms≦t＜10ms，Tj =25℃，
per
diode
●電気的・熱的特性 Electrical
Characteristics（
指定のない場合
Tl = 25℃／
unless otherwise speci
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
）
V
μA
V
F
I
R
θjl
I
F =
0.5A,
パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
V
R =
V
RM, パルス測定，１素子½たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
MAX
MAX
MAX
1.05
10
15
68
84
熱抵抗
Thermal Resistance
θja
2
*
1
*
2
MAX
MAX
℃/W
*
1：プリント基板実装，銅箔パターン324mm
pad area 324mm
2
On glass-epoxy substrate, copper soldering
*
2：プリント基板実装，銅箔パターン101mm
2
pad area 101mm
2
On glass-epoxy substrate, copper soldering
22
（J534）
京公网安备 11010802033920号
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