R
N 沟道增强型场效应晶½管
N-CHANNEL MOSFET
JCS8N60B
主要参数
MAIN CHARACTERISTICS
封装
Package
I
D
V
DSS
Rdson @Vgs=10V）
（
Qg
用途
高频开关电源
电子镇流器
UPS
电源
7.0 A
600 V
1.2
Ω
25 nC
APPLICATIONS
High efficiency switch
mode power supplies
Electronic lamp ballasts
based on half bridge
UPS
FEATURES
Low gate charge
Low C
rss
(typical 16pF )
Fast switching
100% avalanche tested
Improved dv/dt capability
RoHS product
产品特性
½栅极电荷
½
C
rss
(典型值 16pF)
开关速度快
产品全部经过雪崩测试
高抗
dv/dt
½力
RoHS
产品
订货信息
ORDER MESSAGE
订 货 型 号
Order codes
JCS8N60CB-O-C-N-B
JCS8N60FB-O-F-N-B
印
记
封
装
无卤素
Halogen
Free
否
否
NO
NO
包
装
器件重量
Device Weight
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
Marking
JCS8N60CB
JCS8N60FB
Package
TO-220C
TO-220MF
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
版本：201007A
1/10
R
JCS8N60B
ABSOLUTE RATINGS
(Tc=25℃)
目
符
号
数
JCS8N60CB
600
7.0
4.3
30
±30
590
7.0
14.0
4.5
142
48
值
单
½
JCS8N60FB
600
7.0*
4.3*
30*
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
Value
项
绝对最大额定值
Parameter
最高漏极－源极直流电压
Drain-Source Voltage
连续漏极电流
Drain Current
Symbol
V
DSS
I
D
T=25℃
T=100℃
I
DM
V
GSS
-continuous
最大脉冲漏极电流
（注
1）
Drain Current - pulse
（note
1）
最高栅源电压
Gate-Source Voltage
单脉冲雪崩½量
（注
2）
E
AS
Single Pulsed Avalanche Energy note 2）
（
雪崩电流
（注
1）
Avalanche Current（note 1）
重复雪崩½量
（注
1）
Repetitive Avalanche Current（note 1）
I
AR
E
AR
二极管反向恢复最大电压变化速率
（注
3）
dv/dt
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）
P
D
T
C
=25℃
-Derate
above
25℃
T
J
，T
STG
耗散功率
Power Dissipation
1.14
0.38
W/℃
最高结温及存储温度
Operating and Storage Temperature
Range
引线最高焊接温度
Maximum Lead Temperature for
Soldering Purposes
-55½+150
℃
T
L
300
℃
*漏极电流由最高结温限制
*Drain current limited by maximum junction temperature
版本：201007A
2/10
R
JCS8N60B
项
目
符
号
测试条件
Tests conditions
最小 典型 最 大 单
Min
½
Parameter
Symbol
Typ Max Units
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
关态特性
Off –Characteristics
漏－源击穿电压
Drain-Source Voltage
击穿电压温度特性
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
零栅压下漏极漏电流
Zero Gate Voltage Drain Current
正向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
forward
反向栅极½漏电流
Gate-body leakage current,
reverse
通态特性
On-Characteristics
阈值电压
Gate Threshold Voltage
静态导通电阻
Static Drain-Source
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
动态特性
Dynamic Characteristics
输入电容
Input capacitance
输出电容
Output capacitance
反向传输电容
Reverse transfer capacitance
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
=25V,
V
GS
=0V,
f=1.0MH
Z
-
-
-
1120 1350
115
23
150
30
pF
pF
pF
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=250μA
2.0
-
4.0
V
BV
DSS
I
D
=250
μ
A, V
GS
=0V
referenced
to
600
-
-
V
ΔBV
DSS
/Δ I
D
=250
μ
A,
25℃
T
J
-
0.65
-
V/℃
I
DSS
V
DS
=600V,V
GS
=0V,
T
C
=25℃
V
DS
=480V,
T
C
=125℃
-
-
-
-
-
-
10
100
100
μA
μA
nA
I
GSSF
V
DS
=0V,
V
GS
=30V
I
GSSR
V
DS
=0V,
V
GS
=-30V
-
-
-100
nA
R
DS(ON)
V
GS
=10V , I
D
=3.5A
-
1.0
1.2
Ω
g
fs
V
DS
= 40V, I
D
=3.5A
（note
4）
-
6.2
-
S
版本：201007A
3/10
R
JCS8N60B
t
d
(on)
t
r
t
d
(off)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DS
=480V ,
I
D
=7A
V
GS
=10V
（note
4，5）
V
DD
=300V,I
D
=7A,R
G
=25Ω
（note
4，5）
-
-
-
-
-
-
-
30
70
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
电特性
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性
Switching Characteristics
延迟时间
Turn-On delay time
上升时间
Turn-On rise time
延迟时间
Turn-Off delay time
下降时间
Turn-Off Fall time
栅极电荷总量
Total Gate Charge
栅－源电荷
Gate-Source charge
栅－漏电荷
Gate-Drain charge
80 170
125 260
60 110
25
6.0
10
35
-
-
漏－源二极管特性及最大额定值
Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
反向恢复时间
Reverse recovery time
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
V
SD
I
S
-
-
7.5
A
I
SM
-
-
30
A
V
GS
=0V,
I
S
=7.0A
-
-
1.4
V
t
rr
Q
rr
V
GS
=0V, I
S
=7.0A
dI
F
/dt=100A/
μ
s
(note 4)
-
-
315
2.6
-
-
ns
μC
热特性
THERMAL CHARACTERISTIC
项
目
符
号
最大
Max
JCS8N60CB JCS8N60FB
0.85
62.5
2.6
62.5
单
½
Parameter
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
注释：
1：脉冲½度由最高结温限制
2：L=19.5mH, I
AS
=7.0A, V
DD
=50V, R
G
=25
Ω,起始
结温
T
J
=25℃
3：I
SD
≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
,起始结温
T
J
=25
℃
4：脉冲测试：脉冲½度≤300μs,占空比≤2％
5：基本与工½温度无关
Symbol
R
th(j-c)
R
th(j-A)
Unit
℃/W
℃/W
Notes:
1
：
Pulse width limited by maximum junction
temperature
2：L=19.5mH, I
AS
=7.0A, V
DD
=50V, R
G
=25
Ω,Starting
T
J
=25℃
3
：
I
SD
≤7.0A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BV
DSS
, Starting
T
J
=25℃
4：Pulse Test：Pulse Width
≤300μs,Duty
Cycle≤2％
5：Essentially independent of operating temperature
版本：201007A
4/10
R
JCS8N60B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
Transfer Characteristics
10
特征曲线
On-Region Characteristics
V
GS
15V
10V
8V
7V
6.5V
6V
5.5V
Bottom 5V
Top
10
25
℃
I
D
[A]
I
D
[A]
150
℃
1
1
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. T
C
=25
℃
0.1
Notes
：
1.250μs pulse test
2.V
DS
=40V
2
4
6
8
10
1
10
V
DS
[V]
V
GS
[V]
On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.40
1.35
1.30
Body Diode Forward Voltage Variation
vs. Source Current and Temperature
10
R
DS
(on) [
Ω
]
I
DR
[A]
1.25
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
V
GS
=10V
V
GS
=20V
25
℃
1
150
℃
Note
：
T
j
=25
℃
0.1
Notes
：
1. 250μs pulse test
2. V
GS
=0V
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
0
2
4
6
8
10
0.4
0.5
0.6
0.7
I
D
[A]
V
SD
[V]
Capacitance Characteristics
12
Gate Charge Characteristics
V
DS
=480V
10
V
DS
=300V
V
DS
=120V
V
GS
Gate Source Voltage[V]
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Q
g
Toltal Gate Charge [nC]
版本：201007A
5/10
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
