2007-03-30
GaAs Infrared Emitter
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Version 1.0
LD 261
Features:
•
•
•
•
GaAs infrared emitting diode
High reliability
Same package as BPX 81
Miniature package
•
•
•
•
Besondere Merkmale:
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
Hohe Zuverlässigkeit
Gehäusegleich mit BPX 81
Miniatur-Gehäuse
Applications
•
•
•
•
•
•
Miniature photointerrupters
Barcode reader
Industrial electronics
For control and drive circuits
Sensor technology
Speed controller
•
•
•
•
•
•
Anwendungen
Miniaturlichtschranken
Barcode-Leser
Industrieelektronik
„Messen/Steuern/Regeln”
Sensorik
Drehzahlsteuerung
Notes
Depending on the mode of operation, these devices
emit highly concentrated non visible infrared light
which can be hazardous to the human eye. Products
which incorporate these devices have to follow the
safety precautions given in IEC 60825-1 and IEC
62471.
Hinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare
Infrarot-Strahlung, die gefährlich für das
menschliche Auge sein kann. Produkte, die diese
Bauteile enthalten, müssen gemäß den
Sicherheitsrichtlinien der IEC-Normen 60825-1 und
62471 behandelt werden.
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Version 1.0
Ordering Information
Bestellinformation
Type:
Typ:
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms
I
e
[mW/sr]
LD 261
LD 261-5/6
Note:
Anm::
Measured at a solid angle of
LD 261
Ordering Code
Bestellnummer
5.5 (2 ... 10)
5.5 (3.2 ... 10)
= 0.01 sr
= 0.01 sr
Q62703Q0395
Q65110A3337
Gemessen bei einem Raumwinkel
Maximum Ratings
(T
A
= 25 °C)
Grenzwerte
Parameter
Bezeichnung
Operation and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Junction temperature
Sperrschichttemperatur
Reverse voltage
Sperrspannung
Forward current
Durchlassstrom
Surge current
Stoßstrom
(t
p
10 s, D = 0)
Total power dissipation
Verlustleistung
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
Thermal resistance junction - lead
Wärmewiderstand Sperrschicht - Anschluss
Symbol
Symbol
T
op
; T
stg
T
j
V
R
I
F
I
FSM
Values
Werte
-40 ... 80
80
5
50
1.6
Unit
Einheit
°C
°C
V
mA
A
P
tot
R
thJA
R
thJL
70
750
650
mW
K/W
K/W
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Version 1.0
Characteristics
(T
A
= 25 °C)
Kennwerte
Parameter
Bezeichnung
Emission wavelength
Zentrale Emissionswellenlänge
(I
F
= 50 mA, t
P
= 20 ms)
Spectral bandwidth at 50% of I
max
Spektrale Bandbreite bei 50% von I
max
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Half angle
Halbwinkel
Active chip area
Aktive Chipfläche
Dimensions of active chip area
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Distance chip surface to lens top
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Rise and fall time of I
e
( 10% and 90% of I
e max
)
Schaltzeit von I
e
( 10% und 90% von I
e max
)
(I
F
= 50 mA, R
L
= 50 )
Capacitance
Kapazität
(V
R
= 0 V, f = 1 MHz)
Forward voltage
Durchlassspannung
(I
F
= 50 mA, t
P
= 20 ms)
Reverse current
Sperrstrom
(V
R
= 5 V)
Total radiant flux
Gesamtstrahlungsfluss
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
A
LxW
H
t
r
, t
f
Symbol
Symbol
peak
LD 261
Values
Werte
950
Unit
Einheit
nm
55
nm
± 15
0.25
0.5 x 0.5
1.3 ... 1.9
1000
°
mm
2
mm x
mm
mm
ns
C
0
40
pF
V
F
1.25 ( 1.4)
V
I
R
0.01 ( 1)
μA
e
9
mW
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Version 1.0
Parameter
Bezeichnung
Temperature coefficient of I
e
or
e
Temperaturkoeffizient von I
e
bzw.
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of V
F
Temperaturkoeffizient von V
F
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Temperature coefficient of wavelength
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
(I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms)
Grouping
(T
A
= 25 °C)
Gruppierung
Group
Gruppe
Min Radiant Intensity
Min Strahlstärke
I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms
I
e, min
[mW / sr]
LD 261
LD 261-5
LD 261-6
Note:
Anm.:
measured at a solid angle of
e
LD 261
Symbol
Symbol
TC
I
Values
Werte
-0.55
Unit
Einheit
%/K
TC
V
-1.5
mV / K
TC
0.3
nm / K
Max Radiant Intensity
Max Strahlstärke
I
F
= 50 mA, t
p
= 20 ms
I
e, max
[mW / sr]
10
6.3
10
2
3.2
5
= 0.01 sr
= 0.01 sr
gemessen bei einem Raumwinkel
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Version 1.0
Relative Spectral Emission
Relative spektrale Emission
I
rel
= f( ), T
A
= 25°C
100
%
OHR01938
LD 261
Radiant Intensity
Strahlstärke
I
e
/ I
e
(100 mA) = f(I
F
), single pulse, t
p
= 25
μs,
T
A
= 25°C
Ι
e
10
2
OHR01039
Ι
rel
80
Ι
e
(100 mA)
60
10
1
40
10
0
20
0
880
920
960
1000
nm
λ
1060
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
A
Ι
F
10
1
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5
京公网安备 11010802033920号
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