NPN-Silizium-Fototransistor
Silicon NPN Phototransistor
SFH 302
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
von 450 nm bis 1100 nm
• Hohe Linearität
• TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz,
mit Basisanschluß
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
SFH 302
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P1641
Features
• Especially suitable for applications from
450 nm to 1100 nm
• High linearity
• TO-18, base plate, transparent exposy resin
lens, with base connection
• Available in groups
Applications
• Photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
2001-02-22
1
SFH 302
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse, Lötzeit
t
≤
5 s
Dip soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
5 s
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle
≥
2 mm vom Gehäuse, Lötzeit
t
≤
3 s
Iron soldering temperature
≥
2 mm distance
from case bottom, soldering time
t
≤
3 s
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage
Kollektorstrom
Collector current
Kollektorspitzenstrom,
τ <
10
µs
Collector surge current
Emitter-Basisspannung
Emitter-base voltage
Verlustleistung,
T
A
= 25
°C
Total power dissipation
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Symbol
Symbol
Wert
Value
– 40
…
+ 80
260
Einheit
Unit
°C
°C
T
op
;
T
stg
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
tot
R
thJA
50
50
200
7
150
450
V
mA
mA
V
mW
K/W
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SFH 302
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
Abmessungen der Chipfläche
Dimensions of chip area
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseoberfläche
Distance chip front to case surface
Halbwinkel
Half angle
Fotostrom der Kollektor-Basis-Fotodiode
Photocurrent of collector-base photodiode
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
V
CB
= 5 V
Kapazität
Capacitance
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Dunkelstrom
Dark current
V
CE
= 10 V,
E
= 0
Symbol
Symbol
λ
S max
λ
Wert
Value
880
450
…
1100
Einheit
Unit
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
ϕ
0.675
1
×
1
0.2
…
0.8
±
50
mm
2
mm
×
mm
mm
Grad
deg.
I
PCB
I
PCB
4.2
12.5
µA
µA
C
CE
C
CB
C
EB
I
CEO
23
39
47
20 (≤ 200)
pF
pF
pF
nA
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SFH 302
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern
gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by
arabian figures.
Bezeichnung
Parameter
Fotostrom,
λ =
950 nm
Photocurrent
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000 Ix,
Normlicht/standard light A
V
CE
= 5 V
Symbol
Symbol
-2
-3
Wert
Value
-4
-5
-6
Einheit
Unit
I
PCE
I
PCE
0.4 … 0.8 0.63 … 1.25 1 … 2 1.6 … 3.2
≥
2.5 mA
1.75
2.8
4.5
7.1
9.5
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
t
r
,
t
f
Rise and fall time
I
C
= 1 mA,
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 kΩ
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation
voltage
I
C
=
I
PCEmin1)
×
0.3,
E
e
= 0.5 mW/cm
2
Stromverstärkung
Current gain
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
9
11
14
17
20
µs
V
CEsat
200
200
200
200
200
mV
I
PCE
----------
-
I
PCB
140
230
360
570
750
–
I
PCEmin
ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe.
I
PCEmin
is the min. photocurrent of the specified group.
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SFH 302
Relative Spectral Sensitivity
S
rel
=
f
(λ)
Photocurrent
I
PCE
=
f
(
E
e
),
V
CE
= 5 V
Total Power Dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Output Characteristics
I
C
=
f
(
V
CE
),
I
B
= Parameter
Directional Characteristics
S
rel
=
f
(ϕ)
2001-02-22
5
京公网安备 11010802033920号
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