TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF225R17ME3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
V
CES
1700
225
340
450
1400
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
t
d on
5,2
typ.
2,00
2,40
5,8
2,60
2,8
20,5
0,70
0,28
0,30
0,06
0,075
0,81
1,00
0,18
0,30
49,5
71,5
48,0
70,5
max.
2,45
6,4
3,0
400
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
V
A
A
EconoDUAL™3ModulmitTrench/FeldstopIGBT³undEmitterControlled3Diode
EconoDUAL™3modulewithtrench/fieldstopIGBT³andEmitterControlled3diode
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
T
C
= 80°C, T
vj max
= 150°C
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj max
= 150
I
C nom
I
C
I
CRM
P
tot
V
GES
A
W
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 225 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 9,00 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1700 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 6,2
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 6,2
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 6,2
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 80 nH
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2900 A/µs
R
Gon
= 6,2
Ω
I
C
= 225 A, V
CE
= 900 V, L
S
= 80 nH
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3400 V/µs
R
Goff
= 6,2
Ω
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 1000 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
r
t
d off
t
f
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 125°C
900
0,028
A
0,09 K/W
K/W
125
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF225R17ME3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
V
F
I
RM
1700
225
450
8300
typ.
1,80
1,90
260
285
58,5
98,0
30,0
54,0
0,05
125
max.
2,20
V
V
A
A
µC
µC
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 225 A, - di
F
/dt = 2900 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 225 A, - di
F
/dt = 2900 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
I
F
= 225 A, - di
F
/dt = 2900 A/µs (T
vj
=125°C) T
vj
= 25°C
V
R
= 900 V
T
vj
= 125°C
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
T
vj op
-40
0,16 K/W
K/W
°C
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF225R17ME3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstrecke
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse
Terminalconnectiontorque
Gewicht
Weight
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
stg
M
M
G
-40
3,00
3,0
3,4
Cu
Al
2
O
3
14,5
13,0
12,5
10,0
> 225
typ.
0,009
20
1,10
-
-
345
125
6,00
6,0
max.
K/W
nH
mΩ
°C
Nm
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF225R17ME3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=125°C
450
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
400
350
300
250
200
150
100
50
0
V
GE
= 20 V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 12 V
V
GE
= 10 V
V
GE
= 9 V
V
GE
= 8 V
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
I
C
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
450
400
350
300
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=6.2Ω,R
Goff
=6.2Ω,V
CE
=900V
200
175
150
125
E [mJ]
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
I
C
[A]
250
200
150
100
50
0
100
75
50
25
0
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
50
100
150
200 250
I
C
[A]
300
350
400
450
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FF225R17ME3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
1
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=225A,V
CE
=900V
400
350
300
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
Z
thJC
: IGBT
0,1
250
200
150
0,01
100
50
0
0,001
0,001
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,009 0,027 0,036 0,018
τ
i
[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0
10
20
30
R
G
[Ω]
40
50
60
Z
thJC
[K/W]
E [mJ]
0,01
t [s]
0,1
1
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=6.2Ω,T
vj
=125°C
500
I
C
, Modul
I
C
, Chip
450
400
350
300
I
C
[A]
250
200
150
100
50
0
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
0
200
400
600
800 1000 1200 1400 1600 1800
V
CE
[V]
I
F
[A]
0,0
0,5
1,0
1,5
V
F
[V]
2,0
2,5
3,0
preparedby:CU
approvedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
revision:2.1
5
京公网安备 11010802033920号
EEWORLD
