Laserdiode im TO-220 Gehäuse 1.5 W cw
Laser Diode in TO-220 Package 1.5 W cw
SPL 2Yxx
Besondere Merkmale
• Effiziente Strahlungsquelle für Dauerstrich- und
gepulstem Betriebsmodus
• Zuverlässige InGa(Al)As kompressiv
verspannte Quantenfilm-Struktur
• Kleines TO-220 Gehäuse mit effizienter
thermischer Kopplung
• Integrierter Thermistor ermöglicht
Wellenlängensteuerung über die Temperatur
• Austrittsöffnung 200
µm
• Zylinderlinse zur Korrektur der vertikalen Achse
Anwendungen
• Pumpen von Festkörperlasern (Nd: YAG,
Yb: YAG, …)
• Medizinische und zahnmedizinische
Anwendungen
• Löten, Erwärmen, Beleuchten
• Freiraum-Datenübertragung
• Energieübertragung
• Test- und Messsysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Features
• Efficient radiation source for cw and pulsed
operation
• Reliable InGa(Al)As strained layer
quantum-well structure
• Small TO-220 package with efficient thermal
coupling
• Included thermistor allows wavelength control
by temperature
• Laser aperture 200
µm
• Cylindrical correction for a near circular far-field
pattern
Applications
• Pumping of solid state lasers (Nd: YAG,
Yb: YAG, …)
• Medical and dental applications
• Soldering, heating, illumination
• Free space data transmission
• Energy transmission
• Testing and measuring applications
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
2000-07-28
1
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL 2Yxx
Typ
Type
SPL 2Y81
SPL 2Y85
SPL 2Y94
SPL 2Y98
1)
Wellenlänge
Wavelength
1)
808 nm
850 nm
940 nm
975 nm
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702-P367
Q62702-P1728
Q62702-P1630
on request
Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm … 980 nm sind auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths in the range of 780 nm … 980 nm are available on request.
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Ausgangsleistung (Dauerstrichbetrieb)
1)
Output power (continuous wave)
1)
Ausgangsleistung (Quasi-Dauerstrichbetrieb)
1)
(
t
p
≤
150
µs,
Tastverhältnis
≤
1%)
Output power (quasi-continuous wave)
1)
(
t
p
≤
150
µs,
duty cycle
≤
1%)
Sperrspannung
Reverse voltage
Betriebstemperatur
Operating temperature
Lagertemperatur
Storage temperature
Löttemperatur an den Anschlüssen, max. 5 s
Soldering temperature at the pins, max. 5 s
1)
Symbol
Symbol
min.
Wert
Values
max.
1.5
2.0
–
–
Einheit
Unit
W
W
P
cw
P
qcw
V
R
T
op
T
stg
T
s
–
– 10
– 40
–
3
+ 60
+ 85
250
V
°C
°C
°C
Zur Leistungsmessung wird die gesamte Lichtleistung in eine Ulbrichtkugel eingekoppelt.
Optical power is measured by coupling into an integrating sphere.
2000-07-28
2
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL 2Yxx
Diodenkennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Diode Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Zentrale Emissionswellenlänge
1)
Emission wavelength
1)
Symbol
Symbol
min.
λ
peak
805
840
930
970
Spektrale Breite (Halbwertsbreite)
1)
Spectral width (FWHM)
1)
Opt. Ausgangsleistung im Betriebspunkt
Output power
Differentielle Effizienz
Differential efficiency
850 nm
940 nm
975 nm
Schwellstrom
Threshold current
808 nm
I
th
850 nm
940 nm
975 nm
Betriebsstrom
1)
Operating current
1)
Betriebsspannung
1)2)
Operating voltage
1)2)
Differentieller Serienwiderstand
Differential series resistance
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)
Beam divergence (FWHM)
Charakteristische Temperatur (Schwelle)
3)
Characteristic temperature (threshold)
3)
Temperaturkoeffizient des Betriebsstroms
Temperature coefficient of operating current
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge
4)
Temperature coefficient of wavelength
4)
∆λ
–
–
0.90
0.85
0.75
0.75
0.50
0.50
0.30
0.30
Wert
Values
typ.
808
850
940
975
3
1.5
1.10
1.00
0.90
0.90
0.70
0.65
0.45
0.40
2.10
1.85
0.15
10°
×
10°
150
0.5
0.3
max.
811
860
950
980
–
–
1.3
1.3
1.1
1.1
0.85
0.80
0.60
0.55
2.60
–
0.4
–
–
–
–
A
V
Ω
Grad
deg.
K
%/K
nm/K
A
nm
W
W/A
nm
Einheit
Unit
P
op
808 nm
η
I
op
V
op
R
s
θ
||
× θ
⊥
1.80
–
–
–
–
–
–
T
0
∂
I
op
/
I
op
∂
T
∂λ/∂
T
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3
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL 2Yxx
Diodenkennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Diode Characteristics
(cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Thermischer Widerstand
(pn-Übergang
→
Wärmesenke)
Thermal resistance (junction
→
heat sink)
1)
Symbol
Symbol
min.
Wert
Values
typ.
10
max.
–
–
Einheit
Unit
K/W
R
th JA
Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf 1,5 W cw optische Ausgangsleistung.
Standard operating conditions refer to 1.5 W cw optical output power.
Abhängig von der Emissionswellenlänge.
Depending on emission wavelength.
Modelle zur Bestimmung des thermischen Verhaltens bzgl. des Schwellstroms:
I
th
(
T
2
) =
I
th
(
T
1
)
×
exp (
T
2
–
T
1
)/
T
0
Model for the thermal behavior of threshold current:
I
th
(
T
2
) =
I
th
(
T
1
)
×
exp (
T
2
–
T
1
)/
T
0
Optische Leistungen werden mit einer Ulbrichtkugel gemessen.
Optical power measurements refer to an integrating sphere.
2)
3)
4)
NTC Thermistor
R
T
=
R
0
×
exp (
B
×
(1/
T
– 1/
T
0
))
R
0
= 10 kΩ
±
1%,
T
0
= 25
°C
= 298 K,
B
= 3730 K
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4
OPTO SEMICONDUCTORS
SPL 2Yxx
Optische Kennwerte
(Laser Kennwerte sind für alle Wellenlängen ähnlich,
Parameter werden vorn detaillierter aufgeführt).
Optical Characteristics
(Laser characteristics are similar for all wavelength,
parameters are listed on previous page in detail).
Optical Output Power
P
opt
vs.
Forward Current
I
F
(
T
A
= 25
°C)
SPL 2Y81
1.8
OHW00899
Optical Spectrum, Relative Intensity
Ι
rel
vs. Wavelength
λ
(
T
A
= 25
°C,
P
opt
= 1.5 W)
SPL 2Y81
1
Ι
rel
%
OHW00898
P
opt
W
1.5
0.75
1.2
0.9
0.5
0.6
0.25
0.3
0
0
0.5
1
1.5
2 A 2.5
0
790
800
810
820 nm 830
I
F
λ
2000-07-28
5
OPTO SEMICONDUCTORS
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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